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市场和应用
移动设备快速充电 – Let’s Go GaNFast™!
- 消费者使用的移动电子设备的电池和屏幕尺寸正在持续增大,导致设备充电时间可能接近 5 小时或者更长。
- 纳微 GaNFast™ 氮化镓功率芯片的充电速度,是传统硅器件充电器的 3 倍。从此,氮化镓让快充成为现实。
- 新的技术,像 USB – C 接口和 USB – PD/ PPS 协议,都给通用标准的充电器提供了机会,让它们能给你的所有移动设备进行快速充电。
- 目前已有超过 75 个 GaNFast 充电器正在量产,超过 150 个产品正在研发阶段。
消费市场 – 性能更强,尺寸更小
- 如今,消费者对超薄 LED 电视、游戏设备、一体式电脑、智能家居系统的需求,包括实现更强的性能,以及更小更纤薄的外观。
- 8K 电视更是比 4K 电视需要多 3 倍的功耗。
- GaNFast 氮化镓功率芯片可以在同尺寸条件下,提供 3 倍或更高的充电功率。
企业/数据中心 – 每年节省 19 亿美元
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数据中心升级到使用 GaNFast 氮化镓功率芯片,可以每年节省超过 15 兆瓦时或 19 亿的电力成本。
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数据中心的成本 44% 都和能耗有关(电力、电源和冷却)。
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氮化镓功率芯片可以减少高达 10% 的用电量。
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更多的数据和更少的电力,意味着互联网将更具成本效益,对环保更有益处。
太阳能/可再生能源 – 节省 25% 的成本和40% 的能量
- 太阳能的潜力是能让我们摆脱对传统电网的依赖,并节省大量的水电费。但高昂的设备成本,以及节约的能源有限,阻碍了许多的消费者选择太阳能。
- GaNFast 氮化镓功率芯片可以让太阳能逆变器的体积和重量减少 50%,成本降低 25%,并节省 40% 的能量。
- 纳微半导体的氮化镓功率芯片,可以将太阳能设备的投资回报率提高 10% 或者更多。
电动车/电动交通工具 – 更长的续航里程,更低的成本
- 提高 60% 的充电速度和 5% 的续航里程,降低电动车驾驶员的续航焦虑。
- GaNFast 功率芯片可以节省 70% 的能量。
纳微新闻
Navitas Qualifies Leading-edge Gen-3 Fast SiC to Auto-grade (Q101)
Next-gen silicon carbide (SiC) power semis drive innovation in 400 and 800 V EV architectures Torrance, CA – September 4th, 2024 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast™ gallium nitride (GaN) and GeneSiC™ silicon carbide...
Navitas Semiconductor to Participate in Upcoming Investor Events
Torrance, CA – August 15th, 2024— Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, has announced participation in the...