下一代碳化硅功率器件驱动电动汽车400V和800V架构创新
加利福尼亚州托伦斯2024年9月4日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布了符合车规认证的D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的第三代快速碳化硅MOSFETs。
纳微半导体专有的“沟槽辅助平面栅”技术可为碳化硅MOSFETs带来全球领先的性能，助力电动汽车客户打造高速、低温升的充电、牵引电机和DC-DC转换器。与同类型传统器件相比，第三代快速碳化硅的外壳温度低25℃，使用寿命延长了3倍，完美匹配严苛的电动汽车运行环境。
第三代快速碳化硅MOSFETs经过优化，为电动汽车应用（如空调压缩机、座舱加热器、DC-DC转换器和OBC车载充电机）带来最快的开关速度、最高的效率，并实现功率密度的增进。纳微位于上海的电动汽车设计中心打造了一款高达22kW的前沿OBC系统解决方案，功率密度达到3.5kW/L，效率超过95.5%。
纳微全新的650V第三代快速碳化硅MOSFETs的RDS(ON)为20到55mΩ，可应用于额定电压为400V的电动汽车电池架构。另一款1200V产品的RDS(ON)为18到135mΩ，可用于800V架构中。
采用传统SMT D2PAK-7L (TO-263-7)封装的650V和1200V及TOLL封装的650V第三代快速碳化硅MOSFETs均已通过AEC Q101车规认证。对于400V的架构，额定电压为650V的表贴TOLL封装产品相较于D2PAK-7L封装版可降低9%的结壳热阻（RTH,J-C），PCB占位面积小30%，厚度降低50%，尺寸小60%，这使得打造极高功率密度的解决方案成为可能，同时仅有2nH的最小封装电感确保了卓越的快速开关性能和最低的动态封装损耗。
第三代车规级650V和1200V第三代快速碳化硅 MOSFET系列产品现已发售，并提供D2PAK-7L和表贴TOLL两种封装形式。如需了解更多信息，请发送邮件至[email protected]或[email protected]。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
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