電子名人堂入選者Dan Kinzer將介紹超越矽的氮化鎵技術
愛爾蘭都柏林–2021年9月3日–氮化鎵功率芯片的行業領導者納微半導體公司宣布,聯合創始人兼首席運營官/首席技術官Dan Kinzer將在SEMICON Taiwan 2021的功率和光電半導體線上論壇(2021年9月7日至9日)上分享下一代氮化鎵(GaN)最具影響力的創新。
氮化鎵(GaN)是下一代半導體技術,它的器件開關速度比傳統矽器件快20倍。在充電器尺寸和重量減半的情況下,相比傳統矽充電器,可實現高達3倍的功率或3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast™功率芯片集成了GaN電源和驅動、保護和控制,提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。氮化鎵功率芯片在旗艦手機充電器中占主導地位,並被電動汽車和太陽能微逆變器公司視為更高功率系統的下一代解決方案。到2026年氮化鎵功率芯片將創造一個估計為131億美元的潛在市場。
論壇主席、穩懋半導體公司首席執行官李宗鴻先生表示:SEMICON Taiwan聚集了來自工業界、學術界和研究機構的專家,我們很高興邀請到倍受尊敬、經驗豐富的行業先鋒Dan Kinzer先生,來介紹化合物半導體的前沿技術的見解和市場趨勢。
Kinzer先生40年的行業先鋒生涯,使他在2018年入選了國際功率半導體器件和芯片研討會(ISPSD)的首屆名人堂。他過去曾負責包括開發先進的功率器件和芯片平台,寬禁帶半導體GaN和SiC器件設計,芯片和功率器件製造工藝,先進的芯片設計,半導體封裝開發和組裝工藝,加上電子系統的設計。 Dan擁有130多項美國專利,並在普林斯頓大學獲得工程物理學學士學位。
Kinzer先生表示:SEMICON Taiwan在展示推動未來創新的尖端技術方面有著悠久的歷史,納微半導體非常感謝有這個機會向高素質的聽眾展示我們的尖端技術。氮化鎵代表了電力電子領域的第二次革命,這將會是40年一遇的地震式轉變。
納微半導體的演講題為 “氮化鎵,Electrify Our World™”。將於9月7日上午10點50分(台灣時間)播出,將深入介紹氮化鎵半導體的最新發展,包括提供更好性能、更高功率密度和簡化設計的集成式氮化鎵功率芯片。
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關於SEMI
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關於納微半導體:
納微半導體(Navitas Semiconductor)是全球第一家氮化鎵功率芯片公司,成立於2014年。納微半導體擁有一支強大且不斷壯大的功率半導體行業專家團隊,在材料、器件、芯片設計、應用、系統和營銷方面擁有行業領先的經驗,此外,納微半導體創始人擁有超過300項專利。氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵功率器件與驅動、控制和保護功能,為移動、消費、企業、電動車和新能源市場提供更快的充電體驗、更高的功率密度和更出色的節能效果。納微半導體有130多項專利已經頒發或正在申請中。截至2021年8月,超過2500萬片納微GaNFast™️氮化鎵功率芯片已經出貨,故障率為零。 2021年5月7日,納微宣布“將通過與 Live Oak II (NYSE: LOKB)特殊目的收購公司合併的方式,以10.4億美元的企業價值上市。”
納微半導體、GaNFast™️和納微徽標,是納微半導體的商標或註冊商標。
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