GaNSense Control合封氮化镓功率芯片系列将下一代氮化镓 (GaN) 电源与高频控制功能相结合。与友商不同，GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有单片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驱动器的所有优点，加上单个表面贴装封装中的控制和保护电路，适用于高功率密度充电器、适配器和辅助电源应用。
应用
手机快充
家电
数据中心辅助电源
工业辅助电源
消费类产品
销售终端机
易于使用、灵活、高效
全面、易于使用的合封和分立解决方案组合为电源设计人员提供了极大的灵活性。带有 GaNSense 功率 IC 的 NV958x 高频准谐振 (HFQR) 反激式控制器支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式操作。 82 至 225 kHz 的频率选择为平面或绕线变压器提供了灵活的设计，提供了高效、最紧凑的充电器解决方案。在副边，与传统整流器相比， NV97xx 同步整流 (SR) 控制器可在任何负载条件下提供最高效率。
世界一流的性能
GaNSense Control合封氮化镓功率芯片可实现最高频率运行，以最大限度地减小系统尺寸和重量。无损耗电流检测、高压启动和消除 VDD 电感器等集成功能减少了器件数量并提高了系统效率。 纳微的 GaNSense Control合封氮化镓功率芯片具有高达 800 V的瞬态电压击穿和无电流采样电阻热点，以最小的外形提供一流的效率。
特性
Max Frequency (KHz)
封装
Lossless Current Sensing
VDD Range (V)
需外部VDD调压器
周边元件数量
PCB Footprint (mm2)
Thermal Pad
Standby Loss (mW)
电流采样电阻热点
VDS (cont./trans.)
Competitor A
175
PQFN 6x8
Internal
No
7.9 - 40
Boost
+11
85
Yes
50
Yes
650 / 750
Competitor B
150
InSOP 10x14
Internal
Yes
4 - 6
Linear
+18
90
No
<30
No
650 / 750
Navitas
225
PQFN 5x6
Internal
Yes
6.2 - 80
Not Required
+9
50
Yes
<20
No
700 / 800
Navitas Benefit
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
高效、高功率密度
更高的可靠性
更高的可靠性
典型的应用电路: 20 W – 65 W, 20 V
高频QR 反激 原边
同步整流
内部电路框图和引脚 (PQFN 5×6)
Description
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
高频QR合封
Part Number
NV9580F1C1
NV9580F2C1
NV9581F1P1
NV9581F1P2
NV9581F2P1
NV9581F2P2
NV9582F1P1
NV9582F2P1
NV9583F1P1
NV9583F1P2
NV9583F2P1
NV9583F2P2
NV9584F1P1
NV9584F2P1
NV9586F1P1
NV9586F2P1
Power
(W)
(W)
70
70
65
65
65
65
55
55
45
45
45
45
35
35
25
25
Voltage
(cont./trans.)
(V)
(cont./trans.)
(V)
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
700 / 800
RDS(ON)
(mΩ)
(mΩ)
170
170
210
210
210
210
260
260
330
330
330
330
520
520
600
600
X-Cap
Discharge
Discharge
-
-
-
✓
-
✓
-
-
-
✓
-
✓
-
-
-
-
VDD
(V)
(V)
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
Mode
CC
CC
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
PL
Freq. (max)
(kHz)
(kHz)
129
225
129
129
225
225
129
225
129
129
225
225
129
225
129
225
No-Load
Input Power
(mW)
Input Power
(mW)
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
<20
Package
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
PQFN 5x6
Description
控制器
控制器
控制器
控制器
Part Number
NV9510SC02
NV9510SC06
NV9510SC21
NV9510SC08
Power
(W)
(W)
150
150
150
150
Operation
CCM/QR
QR
QR
QR
HV Startup
✓
✓
✓
✓
X-Cap
Discharge
Discharge
-
-
✓
-
VDD
(V)
(V)
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
6.8 - 80
Mode
CC
PL
PL
PL
Freq. (max)
(kHz)
(kHz)
129
129
129
225
No-Load
Input Power
(mW)
Input Power
(mW)
<20
<20
<20
<20
Package
SOIC-10
SOIC-10
SOIC-10
SOIC-10
看参阅GaNFast 功率 IC 产品手册或者浏览 navitassemi.com 可获得GaNSense 功率IC的完整产品信息
Description
SR 合封
SR 控制器
Part Number
NV9750FN01
NV9701SC01
Power
(W)
(W)
30
150
Voltage
(cont.)
(V)
(cont.)
(V)
100
120
RDS(ON)
(mΩ)
(mΩ)
12
-
Mode
DCM/QR/ CCM
DCM/QR/ CCM
VDD
(V)
(V)
3 - 24
3 - 24
Freq. (max)
(kHz)
(kHz)
400
400
Power Saving
Mode
Mode
✓
✓
封装
PQFN 5x6
SOT 23-6
