GaNSense半桥氮化镓功率芯片
电子电子领域革命的下一步
新型的GaNSense™半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。这款革命性的、单个封装的解决方案将带来最高的效率、功率密度和可靠性。
功率半导体行业史上集成度最高的解决方案
- 功能丰富，采用了行业领先的薄型低电感6×8mmPQFN封装
- 让系统设计更简单、更灵活
- 包括内置保护的易用性
- 快速设计原型样机，快速实现营收
设计用于下一代软开关拓扑并开发氮化镓的高频、快速开关能力
下一代电力电子系统如今可在Mhz下运行，而不只是Khz
功率半导体行业史上集成度最高的解决方案
- 功能丰富，采用了行业领先的薄型低电感6×8mmPQFN封装
- 让系统设计更简单、更灵活
- 包括内置保护的易用性
- 快速设计原型样机，快速实现营收
设计用于下一代软开关拓扑并开发氮化镓的高频、快速开关能力
下一代电力电子系统如今可在Mhz下运行，而不只是Khz
最高度的集成，最少的元件，最小的占位面积，带来最强健的性能
通过使用软开关拓扑，半桥集成带来最快的开关、最高的效率和最大功率密度
随着智能手机耗能激增，充电速度的要求越来越快。因此，超快充移动充电器功率也变得越来越高。最新的充电协议如USB PD 3.1如今可支持高达240W的充电。软开关的半桥拓扑将为这些更高的功率等级提供最快的开关频率、最大的功率密度和最大的效率。
让马达驱动尺寸更小并实现集成
IGBT, SJ-MOSFET和GaNSense IC在马达驱动的功率损耗比较
与传统的硅IGBT或MOSFET相比，GaNSense半桥氮化镓功率芯片显著降低了开关损耗，使逆变器效率提高了2.5%。这意味着热管理的成本、重量和尺寸显著降低。
这使得下一代电机能够将逆变器级纳入电机底盘本身。更多详细信息，请参阅我们的专用白皮书和Application Note AN018
更少的元件，更高的集成度，最高的效率和最小的占位面积
无保护的GaN
- 暴露的栅极
- 开关误动作
- 危险的振铃和故障
- 可靠性低
Navitas GaN Power IC
- 集成的栅极驱动
- 开关波形干净无毛刺
- 安全、强健和可靠的性能表现
