市场与技术
GeneSiC碳化硅（Sic）MOSFET（金属 – 氧化物半导体场效应管）和肖特基MPS™二极管器件耐压从650 V到6.5 kV，适合从20 W到20 MW的应用场合，为多元市场（包括电动车、工业自动化、网通、电网、电动机和国防）提供高速、高效的功率转换。大批量、高质量的出货，确保应用效能、应用可靠性，最大程度保证正常运行时间。
沟槽辅助平面栅极：毫不妥协的技术
与硅（Si）MOSFET相比，SiC MOSFET的导电性能和开关性能均更加优越，这要归功于其‘宽禁带’特性和高电场强度。然而，使用传统平面或沟槽技术必须在可制造性、性能和/或可靠性之间做出妥协。
GeneSiC的专利沟槽辅助平面栅极设计是一种无需妥协的新一代解决方案，不仅制造产量高、适合快速开关同时功耗低，而且长期可靠性高。
高压领域开拓者
GeneSiC能提供先进可靠的高压、高效SiC MOSFET，这对于苛刻环境、大功率应用场合的可靠性极为关键
- 独有、先进的集成6.5 kV技术
» 双扩散金属氧化物半导体场效应管（DMOSFET）
» 单片集成结势垒肖特基二极管（JBS）整流器
» 更优秀的大功率性能 - 更高效的双向性能
» 开关不随温度变化
» 快速（低开关损耗）和低温（低导通损耗）
» 长期可靠性高
» 高功率时易于并联（VTH稳定性）
SiC MOSFET的最宽电压范围：750 V – 6.5 kV
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低温，快速。
高效、高成本效益的功率转换取决于对现代电路拓扑和高速（频率）开关技术的全面理解。存在两个主要的元器件因数：
• MOSFET的导通电流怎样（用漏源通态电阻衡量）？
• 元器件的开关效率怎样（用能量损耗或EXX衡量）？
对于每个问题，我们必须理解在严酷的高温和高速开关条件下，‘硬开关’和‘软开关’技术等综合条件下给出的答案。高温、高速（频率）品质因数（FoM）的组合，是系统性能和可靠性的关键。
- GeneSiC对比竞争对手的SiC FET
» 1200 V, 20 mΩ, TO-247-4L
» 较高的漏极电流
» 较低的导通损耗
» 工作温度低
- GeneSiC对比竞争对手的SiC FET
» 1200 V, 40 mΩ, D2pak，半桥
» 150 kHz开关 = 比Si IGBT快~10倍
» 与其它SiC相比，FET损耗小30%
» 工作温度低25°C = 寿命长3倍
强固型
典型电路
SiC Schottky MPS™ 二极管
混合式PIN肖特基二极管（MPS）将PIN二极管和肖特基二极管的优点结合在了一起。PIN二级管能承受过大的浪涌电流，同时反向漏电流低，而肖特基二极管的正向压降较小，且具有快速开关的特性。目标应用场合包括PFC，升压电路和高压，大功率电机驱动。
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