纳微氮化镓和碳化硅技术并进，下一代AI数据中心电源功率突破飞升
加利福尼亚州托伦斯2024年3月11日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）发布了最新的AI人工智能数据中心电源技术路线图，以满足未来12-18个月内呈最高3倍指数级增长的AI系统功率需求。
传统CPU通常只需300W的功率支持，而数据中心的AC-DC电源通常可为功率10倍于传统CPU（即3000W）的应用供电。如NVIDIA的“Grace Hopper” H100等的高性能AI处理器，每颗的功率需求达700W，而预计明年下一代“Blackwell” B100和B200芯片的功率需求将增加到1000W或更多。为应对这种指数级的功率需求提升，纳微半导体正持续开发新的服务器电源平台，将电源功率水平从3kW迅速提升到10kW。
2023年8月，纳微半导体推出一款利用最新氮化镓技术打造的3.2kW数据中心电源平台，其功率密度接近100W/in³且效率超过96.5%。近期，纳微将发布一款全新的4.5kW电源平台，通过将氮化镓技术和碳化硅技术相结合，将功率密度推至135W/in³以上，效率超过97%。
这两款平台已引起市场的极大兴趣，目前有超过20个数据中心客户项目正在开发中，预计从今年开始将带来数百万美元的氮化镓或碳化硅收入。此外，纳微还宣布计划在2024年底推出8 – 10kW的电源平台，以满足2025年的AI系统功率要求。该平台将利用更新的氮化镓和碳化硅技术，以及在架构上的进一步延伸，为数据中心电源的功率密度和效率，树立全新的行业标准，帮助数据中心客户缩短产品开发周期。
目前，纳微已经与主要的数据中心客户完成接洽，预计在24年第四季度推出完整的电源平台，仅12至18个月即可满足3倍功率需求的提升。
纳微半导体专有的数据中心应用团队正在开展这些系统设计，以应对AI数据中心功率需求的急剧增加，并协助客户快速有效地部署这些平台，以满足AI飞速发展过程中客户对产品上市速度的高要求。纳微的系统设计包括完整的设计资料，经全面测试的硬件、原理图、材料清单、布局、仿真和硬件测试结果，以保证最大限度地实现“一次就成功设计”并帮助客户快速取得收益。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan指出：“AI技术的快速进化和全面应用，为数据中心及相关行业带来了前所未有的严峻功率挑战。纳微在先进的氮化镓和碳化硅技术上已有大量投入，结合我们专有的数据中心应用团队出色且专业的能力，为我们在市场挑战中抢占了高地。纳微团队已做好全面准备来迎接这一挑战，我们的目标是在不到18个月的时间里为数据中心服务器电源，实现3倍的功率的突破飞升。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GaNSafe、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
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