由 Navitas | 9 月 6, 2024 | EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
下一代碳化硅功率器件驱动电动汽车400V和800V架构创新 加利福尼亚州托伦斯2024年9月4日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日发布了符合车规认证的D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的第三代快速碳化硅MOSFETs。...
由 Navitas | 8 月 17, 2024 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
加利福尼亚州托伦斯2024年8月15日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布将参加一系列即将到来的北美及亚洲投资者会议: Needham 会议名:5th-Annual Needham Virtual Semiconductor & SemiCap 1×1 Conference 时间:8月21日 形式:一对一会议 参会人: CEO Gene Sheridan CFO Janet Chou(周涛) 投资者关系副总裁Stephen Oliver...
由 Navitas | 8 月 8, 2024 | Front Page, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN
第二季度收入和毛利率高于盈利预测 上半年收入同比增长近40% AI 数据中心电源研发取得积极进展,最新产品技术路线图将支持Hopper、Blackwell、Blackwell Ultra和Rubin处理器平台的电力系统 加利福尼亚州托伦斯2024年8月5日讯 – 下一代功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布了截至2024年6月30日的第二季度未经审计的财务业绩。 纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene...
由 Navitas | 8 月 6, 2024 | Front Page, Latest News, Mobile PR CN, Press Releases CN
下一代GaNFast™氮化镓功率芯片为三星Galaxy A系列,Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6智能手机打造节能氮化镓快充 加利福尼亚州托伦斯2024年8月5日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片已获三星智能手机系列广泛采用,先后为旗舰机皇Galaxy S22、S23、S24,畅销机型Galaxy A系列以及革命性的AI折叠屏手机Galaxy Z Fold6和Galaxy Z...
由 Navitas | 8 月 2, 2024 | EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度 加利福尼亚州托伦斯2024年8月1日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅(G3F)MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品,能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。 纳微GeneSiC...
由 Navitas | 7 月 26, 2024 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微氮化镓和碳化硅混合设计电源能在最小尺寸下,为每个搭载AI GPU的机柜提升3倍功率 加利福尼亚州托伦斯2024年7月25日讯 — 下一代GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日发布全新CRPS185 4.5kW AI数据中心服务器电源方案,该方案围绕纳微旗下GaNSafe™高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅功率器件打造,以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。 下一代AI GPU如英伟达Blackwell...
近期评论