凭借着为沃尔沃、极氪和SMART等品牌注入下一代氮化镓和碳化硅技术，纳微半导体喜获此殊荣
加利福尼亚州托伦斯2025年6月24日讯 — 下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日宣布荣获吉利旗下专注于新能源汽车动力电池、电驱动系统、充电系统及储能系统的子公司——威睿电动汽车技术（宁波）有限公司（威睿公司）颁发“优秀技术合作奖”。
威睿公司与纳微半导体开设了联合研发实验室，旨在通过纳微 GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅 MOSFET 加速电动汽车电源系统的开发，推动技术突破并促进高压电动汽车系统的快速部署。氮化镓和碳化硅技术可提升效率、减轻重量并缩小尺寸，这对电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换器至关重要，有助于实现更快充电、更长续航里程及更高系统效率。
纳微半导体近期推出了行业首款采用 HV-T2PaK 顶部散热封装的车规级 “AEC-Plus” 认证碳化硅 MOSFET，其可靠性达到前所未有的水平，可满足最严苛的汽车和工业应用对系统寿命的要求。最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。
2025 年 4 月，纳微推出了通过AEC-Q100和AEC-Q101双车规级 GaNSafe™氮化镓功率芯片，这标志着氮化镓技术在电动汽车市场的应用正式迈入了全新阶段。纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族，集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。
纳微半导体全球高级副总裁兼亚太区总经理查莹杰表示：“该奖项彰显了纳微在技术领域的领导地位，印证了我们对电动汽车行业的承诺。纳微很荣幸能与全球领先的电动汽车电源解决方案供应商——威睿公司合作，凭借先进的氮化镓和碳化硅解决方案，赋能极氪、沃尔沃、SMART及全球更多下一代电动汽车厂商。纳微将坚定不移地践行‘Electrify Our World™️’的使命，在引领交通及其他领域的清洁能源革命过程中，持续推动创新与合作。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
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