加速淘汰慢速硅芯片,抢占市场

爱尔兰都柏林(PRWeb): 纳微半导体今天正式宣布,新一代氮化镓功率芯片NV6128问世,作为一款全新额定电压650V / 800V的大功率GaNFast功率芯片,NV6128将满足大功率移动设备和消费类电力电子市场的需求,加速淘汰旧的慢速硅芯片,抢占高功率充电市场。 这款70 mOhm NV6128采用6 x 8 mm小型PQFN封装,拥有专有的集成散热垫,适用于高效率,高功率密度的电源系统,电流承载能力提高了66%。

氮化镓(GaN)是新一代半导体材料,其运行速度比旧的慢速硅(Si)器件快100倍,在传统硅充电器一半的体积和重量情况下,氮化镓充电器的输出功率和充电速度与前者相比均可提升三倍。 GaNFast功率芯片集成了GaN功率器件,驱动器以及保护和控制功能,实现了使用最简单,体积最小,速度最快,如今更高功率的性能。

纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示:“ 纳微GaNFast氮化镓功率芯片已被联想,戴尔,OPPO,小米等一线品牌客户广泛采用,应用于高达200W的快充充电器设计中,出货量超过1300万,成功实现零故障。” “借助更高功率的NV6128,我们可将有效功率范围扩展到500W,应用于今后的消费类电子市场,此外还可以应用于数千瓦级别的数据中心,电动交通工具和新能源设备。”

与竞争对手的解决方案不同,NV6128的额定工作电压为650V,此外还具有800V的峰值电压能力,可在瞬态事件期间稳定运行。 作为真正的功率芯片,GaN栅极得到了全面保护,整个器件满足2kV行业领先的静电放电(ESD)规格。

纳微半导体首席技术官,首席运营官兼联合创始人Dan Kinzer表示:“这可以说是天壤之别,与当前一线OEM采用旧的慢速硅器件及传统二极管整流加boost PFC拓扑设计的低频(50-70kHz工作频率)笔记本充电器相比,纳微GaNFast NV6128使高频totem pole拓扑的应用成为可能,300W的设计方案功率密度可达1.1W/cc以上,搭配现有的200kHz控制方案,体积和重量均可缩小三倍。当我们将开关速度提高到MHz +时,功率密度又将出现另一大幅提升。”

对于从事电力电子设计的工程师而言,NV6128和所有GaNFast氮化镓功率芯片系列都为200-500W应用提供了更易于使用,且高速高效的解决方案,如电脑一体机,电视,游戏机,电动滑板车,电动自行车等电动交通工具的充电器,游戏笔记本电脑等其他设备的充电器等。

NV6128现已大批量生产,可立即从Navitas经销合作伙伴处订购,设计相关材料,包括详细的规格书,电气模型(SPICE)和机械模型(.stp)欢迎您前往纳微官网链接 https://navitassemi.com/download/下载。

关于纳微:

纳微(Navitas Semiconductor Limited)是全球第一家,也是唯一一家氮化镓功率IC(GaN Power IC)的公司,成立于2014年,总部位于爱尔兰。纳微拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队,在材料,器件,应用,系统,设计和市场营销方面,团队拥有共计300年的经验,公司创始者拥有300多项专利。GaN功率IC将GaN功率(FET)与驱动,控制和保护集成在一起,可为移动,消费电子,企业,电动汽车和新能源市场提供更快的充电速度,更高的功率密度和更强大的节能效果。Navitas有超过120篇已经发布或正在申请中的专利,已完成生产并成功交付了超过1300万枚GaNFast氮化镓功率IC,实现产品零故障。

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