从三星S22到S23,下一代GaNFast™技术持续在

超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片

加利福尼亚托伦斯2023年10月31日讯 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布再度进入三星进供应链:纳微GaNFast™氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术,氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。

Galaxy S23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸,分辨率为2340×1080的Dynamic AMOLED 2X屏,刷新率为120Hz,屏幕峰值亮度高达1750尼特,同时配备了康宁大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面则搭载了高通第二代骁龙8移动平台,8G运存和512G存储空间,使用更加流畅。后置最高达5000万像素的3摄镜头,带来更优异的影像体验。

为支撑强大的性能,Galaxy S23配备一块3900mAh的锂离子电池,搭载GaNFast™氮化镓功率芯片的25W充电器(型号为EP-T2510)以及USB PD3.0接口,使其仅需30分钟就能充满50%的电量,并在待机模式下,只消耗5mW的电力。PD 3.0接口意味着这款新充电器可以为从Galaxy Buds2耳机到Galaxy Z Fold5,Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列设备供电。

纳微半导体的GaNFast™氮化镓功率芯片运用在该充电器的150kHz高频反激(HFQR)拓扑结构中,并凭借着领先的高频性能,使得充电器体积缩小30%以上。此外,纳微的器件具有领先的交付能力、可靠的质量和极高可靠性。完美符合三星严格的资质要求。

纳微半导体全球高级销售副总裁David Carroll表示:“作为移动快充的行业先驱,纳微半导体持续领导着下一代快充市场,目前全球前十大移动设备生产商都在生产我们的GaNFast™充电器。从25W到20MW,我们将不断扩大领先的氮化镓和碳化硅产品组合,全面覆盖从移动设备和消费电子,到电动汽车、太阳能及工业应用的所有领域。”

关于纳微半导体

纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS)成立于2014年,是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起,为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利,其中,氮化镓功率芯片已发货超过1亿颗,碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺,也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

联系方式:

Stephen Oliver(史立维),企业营销和投资者关系副总裁

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