GaN与SiC混合设计!纳微全球首发97.8%超高效12kW超大规模AI数据中心电源

GaN与SiC混合设计!纳微全球首发97.8%超高效12kW超大规模AI数据中心电源

GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计,可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目(OCP)要求。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计,可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。 该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目(OCP)标准,采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术,以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率...
纳微半导体入选NVIDIA新一代数据中心800V HVDC架构

纳微半导体入选NVIDIA新一代数据中心800V HVDC架构

纳微积极研发氮化镓与碳化硅技术,助力NVIDIA 800V HVDC数据中心供电系统开发,赋能数据中心兆瓦级IT机架电力扩展 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达(纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架开发,旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将被投入研发,为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持 NVIDIA推出的下一代800V...
专为电机驱动打造!纳微全新GaNSense™氮化镓功率芯片为家电及工业应用带来行业领先的性能、效率与可靠性

专为电机驱动打造!纳微全新GaNSense™氮化镓功率芯片为家电及工业应用带来行业领先的性能、效率与可靠性

全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测,效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列,面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计,将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案,其效率提升4%,PCB 占用面积减少40%,系统成本降低15%。...
AEC Plus!纳微HV-T2Pak 顶部散热封装碳化硅MOSFETs重新定义车规可靠性

AEC Plus!纳微HV-T2Pak 顶部散热封装碳化硅MOSFETs重新定义车规可靠性

卓越的性能表现结合优化的高爬电封装,塑造了其前所未有的可靠性,为汽车及工业应用树立新标杆 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准,以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET,搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装,实现行业最高 6.45mm爬电距离,可满足1200V以下应用的IEC合规性。 纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET...
纳微半导体公布2025年第一季度财务业绩

纳微半导体公布2025年第一季度财务业绩

在未来的12月里,纳微氮化镓将在AI数据中心、太阳能微逆和电动汽车等新主流市场实现应用增长 凭借2.5亿颗出货量和100ppb的现场可靠性,纳微氮化镓设定了行业新标杆 纳微碳化硅以超越AEC标准创下行业可靠性新高,超高压2.3kV-6.5kV产品进军商用电动汽车领域 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯 – 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日公布了截至2025年3月31日的未经审计的2025年第一季度财务业绩。 纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene...