采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片,具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能,助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。

加利福尼亚州托伦斯2024年10月14日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™,其凭借最高级别的集成度和散热性能,可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域,进一步简化和加速尺寸紧凑、高功率密度的应用开发。

作为全新的氮化镓功率芯片,GaNSlim采用纳微专利的DPAK-4L封装,具有高散热性能,通过集成驱动、控制和保护,以及内置的智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能,使得系统设计变得最为简单、设计进展更快速和产品尺寸更小巧。此外,由于具备低于10µA的超低启动电流和超低待机电流,GaNSlim可与SOT23-6控制器兼容,无需高压启动功能,就能满足待机功耗要求。

集成的无损电流检测功能可以省去外部电流检测电阻,优化了系统的效率和可靠性。过温保护功能确保了系统的鲁棒性,自动睡眠模式提高了轻载和无负载时的效率。智能化开关斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度,同时减少了外部元件的数量、系统成本和优化了EMI性能。

GaNSlim采用了DPAK-4L封装,该封装为纳微专利,具有高散热性能、小外观尺寸、低寄生电感。与其他传统的QFN封装相比,工作温度低7°C以上,可支持高达500W的高功率密度设计。目标应用市场包括手机和笔记本电脑的充电器、电视电源、固态照明电源等领域。

纳微半导体高级技术营销经理詹仁雄表示:“纳微的氮化镓功率芯片专注于以更高的集成度实现高效率、高性能的功率变换,打造最简单的系统设计,尽可能缩短客户产品从设计到市场的时间。

纳微最新的GaNSlim系列产品,基于高度集成、简单易用和成本优化的理念打造而来,将持续助力纳微开辟更多的客户渠道,目前采用GaNSlim设计的在研项目已有超50个。同时,由于GaNSlim方案相比传统硅具有更好的系统成本优势,正在500W以下的手机和笔电充电器、消费电子和家用电器多个市场得到广泛应用。”

GaNSlim家族NV614x系列产品,额定DC耐压为700V,导通阻抗(RDS(ON))从120mΩ到330mΩ,并分别针对隔离型和非隔离型电源拓扑作了相应的性能优化,可提供丰富的产品类型。

与纳微半导体其他氮化镓功率芯片一致,GaNSlim也同样承诺20年有限质保。此外,纳微还准备了多种基于GaNSlim的demo板,QR反激、单极PFC、PFC+QR反激以及电视电源,帮助客户快速的评估GaNSlim的性能,加快产品设计。

如需了解更多关于GaNSlim的产品信息,请联系[email protected][email protected]

关于纳微半导体

纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS)是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司,于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起,为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺,也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。

联系方式:

Stephen Oliver(史立维),企业营销和投资者关系副总裁

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Llew Vaughan-Edmund,企业营销及产品管理高级总监

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