下一代GaNFast™氮化镓技术为三星打造超快“加速充电”(SFC)
加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其 GaNFast™ 氮化镓功率芯片为三星全新发布的 “AI机皇”—— Galaxy S24 智能手机打造 25W 超快“加速充电”。
作为新一代三星旗舰，Galaxy S24配备了一块 2340 x 1080（FHD+）分辨率的第二代动态 AMOLED 屏，最高刷新率可达120Hz。Galaxy S24 还集成了创新实用的人工智能功能，为用户的交流、创作和发现世界的方式提供更多可能。Galaxy 的人工智能功能，如实时翻译、聊天助理以及和谷歌合作的全新“圈选搜索”功能，为 S24 用户带来全新的智能手机体验。
由纳微半导体助力打造的25W GaNFast™充电器，仅需30分钟就能为Galaxy S24所配备的4000mAh电池充至一半电量，并支持USB PD 3.0（Type-C）协议，能与其他三星产品如 Galaxy Buds2 、Galaxy Z Fold5、Galaxy Flip 和 Galaxy A23等兼容，为它们提供高达25W的充电功率。
基于可持续发展的环保理念，该25W充电器在待机模式下的功耗降低了 75%。纳微半导体的GaNFast ™技术运用在高频反激（HFQR）拓扑中，运行频率达 150 kHz，比标准硅设计快 3 倍，同时与传统充电器设计相比，体积缩小了 30%。
纳微半导体全球高级销售副总裁David Carroll表示：“我们很高兴能够与三星进一步深入合作，与他们一同开发突破性的手机充电技术。纳微半导体的GaNFast™氮化镓功率芯片助力三星打造体积紧凑、轻量高效的 25W充电器，可为全新的 Galaxy S24 和三星其他系列的手机和配件带来快速充电。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
近期评论