创新低成本环氧树脂灌封技术实现热阻变化量降低五倍，显著延长系统使用寿命
加利福尼亚州托伦斯2025年4月17日讯——纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK™功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，经过严格设计和验证，适用于最严苛的高功率环境，重点确保可靠性与耐高温性能。目标市场包括电动汽车直流快充（DCFC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器与功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接及感应加热。
全新的1200V SiCPAK™功率模块系列，采用先进环氧树脂灌封技术，通过隔绝湿气入侵以承受高湿度恶劣环境，并通过降低功率与温度变化引起的性能衰减，以稳定实现更高的热耐性。
在经历1000次热冲击测试（-40°C至+125°C）后，纳微半导体SiCPAK™模块的热阻增加量比传统硅胶填充壳体式模块低5倍。此外，所有硅胶填充模块在以上热冲击测试后均未通过隔离测试，而SiCPAK™环氧树脂灌封模块仍保持合格隔离等级。
凭借超过20年的碳化硅创新领导地位，纳微半导体GeneSiC™独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术不仅可以提供业界领先的温域性能，还能将损耗降低20%，同时运行的温度更低并具有更卓越的鲁棒性，从而为系统长期可靠性奠定基础。
“沟槽辅助平面栅”技术使得RDS(ON)相较于温度的变化更稳定，在更宽运行范围内保持最低功率损耗，与竞品相比在高温实际工况下RDS(ON)降低达20%。此外，所有GeneSiC™碳化硅MOSFET均具备已公布的100%全测雪崩能力（行业最高水平），短路耐受能力提升达30%，以及具备便于并联的严格阈值电压分布。
1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，提供4.6mΩ至18.5mΩ规格，支持半桥、全桥及3L-T-NPC电路配置，与行业标准压接式模块可实现引脚对引脚兼容。另可选配预涂导热界面材料（TIM）以简化组装流程。
该模块系列已正式发布并可立即投入量产。数据手册请访问www.navitassemi.com。更多信息请联系info@navitassemi.com。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
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Llew Vaughan-Edmunds，企业营销及产品管理高级总监
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