Navitas Semiconductor - World's First & Fastest GaN Power IC
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纳微半导体发布 3300V / 2300V 超高压 SiC 全系产品组合，服务于智能电网并全面提升关键能源基础设施可靠性与性能

纳微半导体发布 3300V / 2300V 超高压 SiC 全系产品组合，服务于智能电网并全面提升关键能源基础设施可靠性与性能

由 | 12 月 8, 2025 | IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN

全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用 美国加州托伦斯 — 2025 年 12 月 1 日 — 下一代 GaNFast™ 氮化镓（GaN）与 GeneSiC™ 碳化硅（SiC）功率半导体行业领导者纳微半导体（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 与 2300V...