卓越的性能表现结合优化的高爬电封装，塑造了其前所未有的可靠性，为汽车及工业应用树立新标杆
加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高 6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。
纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET 显著提升系统级功率密度与效率，同时改善热管理并简化板级设计与制造工艺。目标应用包括电动汽车车载充电机（OBC）与 DC-DC 变换器、数据中心服务器电源、家用太阳能逆变器与储能系统（ESS）、电动汽车直流快充桩及HVAC电机驱动。
AEC-Q101 是汽车电子委员会（AEC）制定的行业标准，旨在建立通用的器件认证与质量体系规范。在此基础上，纳微半导体打造了行业首个 超越AEC的“AEC-Plus” 标杆级标准，该标准要求器件超越现有 AEC-Q101 与 JEDEC 产品认证标准。这一新标杆体现了纳微对系统级寿命要求的深刻理解，以及为严苛汽车与工业应用提供经过严格设计与验证产品的坚定承诺。
“AEC-Plus” 认证标准扩展了严格的多批次测试与认证要求，在现有 AEC-Q101 基础上新增核心项包括：
- 动态反向偏置（D-HTRB）与动态栅极开关（D-HTGB）测试，模拟严苛应用工况
- 超过2倍时长的功率与温度循环测试
- 超过3倍时长的静态高温高压测试（如HTRB、HTGB）
- 200°C结温（TJMAX）测试，增加过载运行能力
纳微半导体推出的HV-T2Pak顶部散热封装采用行业标准紧凑尺寸（14mm×18.5mm），通过封装模塑料的创新凹槽设计优化爬电距离至 6.45mm，同时不减小外露散热焊盘尺寸，兼顾了散热性能。
此外，外露散热焊盘采用镍 – 镍磷（NiNiP）镀层，而非现有顶部散热封装方案的锡（Sn）镀层，这对回流焊后焊盘表面平整度至关重要，可确保与导热界面材料（TIM）的高效可靠连接。
依托 20 多年的碳化硅技术创新优势，纳微半导体 GeneSiC™的“沟槽辅助平面栅”技术使得碳化硅MOSFET的导通电阻随高温变化较同规格竞品低20%以上，且开关品质因数优异，可在更宽工作范围内实现最低功率损耗。所有 GeneSiC™碳化硅MOSFET均具备已公布的最高 100%测试雪崩能力、出色的短路耐受能量及紧凑的阈值电压分布，便于并联应用。
首批采用HV-T2Pak封装的产品组合包括导通电阻 18mΩ至 135mΩ的1200V碳化硅MOSFET，以及 20mΩ 至 55mΩ 的 650V碳化硅MOSFET。2025年下半年将推出更低导通电阻（<15mΩ）的HV-T2Pak封装碳化硅MOSFET。
如需了解更多信息，请联系[email protected]或访问www.navitassemi.com
*纳微使用 “AEC-Plus”术语表示器件可靠性测试超越汽车电子委员会（AEC）发布的 AEC-Q101标准，该术语基于纳微测试结果得出
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Llew Vaughan-Edmund，
企业营销及产品管理高级总监
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