纳微新闻

下階段策略有望強化供應鏈、推動創新，降本增效 —— 助力納微氮化鎵（GaN）在 AI 資料中心、電動汽車、太陽能以及家電、手機等領域的快速應用。 加利福尼亞州托倫斯 2025 年 6 月 30 日訊 —— 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布與力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立戰略合作夥伴關係，正式啟動並持續推進業內領先的 200mm 矽基氮化鎵技術生產。...

下一阶段战略有望强化供应链、推动创新，降本增效——助力纳微氮化镓（GaN）在AI数据中心、电动汽车、太阳能以及家电、手机移动设备等领域的快速应用。 加利福尼亚州托伦斯2025年6月30日讯——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布与力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立战略合作伙伴关系，正式启动并持续推进业内领先的200mm硅基氮化镓技术生产。...

全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列，面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计，将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案，其效率提升4%，PCB 占用面积减少40%，系统成本降低15%。...

卓越的性能表现结合优化的高爬电封装，塑造了其前所未有的可靠性，为汽车及工业应用树立新标杆 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高 6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。 纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET...