由 Navitas | 7 月 26, 2024 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微氮化镓和碳化硅混合设计电源能在最小尺寸下，为每个搭载AI GPU的机柜提升3倍功率 加利福尼亚州托伦斯2024年7月25日讯 — 下一代GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布全新CRPS185 4.5kW AI数据中心服务器电源方案，该方案围绕纳微旗下GaNSafe™高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅功率器件打造，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。 下一代AI GPU如英伟达Blackwell...
由 Navitas | 6 月 6, 2024 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯...
由 Navitas | 9 月 7, 2023 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN, Solar PR CN
纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台 在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆 加利福尼亚托伦斯2023年9月6日讯 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会，正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术，以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求，在这些目标应用中，效率、功率密度以及强大可靠的运行能力至关重要。 在台北万怡Courtyard六福万怡召开的全球发布会上，纳微全球销售高级副总裁David...
由 Navitas | 9 月 7, 2022 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, Industrial Motor PR CN, IR CN, Latest News, Mobile PR CN, Press Releases CN, Solar PR CN
下一代氮化镓带来MHz级性能，减少超过60%元件数量及电路尺寸 2022年9月7日——加利福尼亚州加州埃尔塞贡多讯，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及 氮化镓功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS），今日发布了半导体行业首个GaNSense™半桥氮化镓功率芯片。相比于现有的分立式方案，半桥功率芯片可实现MHz级的开关频率，将有效降低系统损耗和复杂度。 GaNSense™半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs...
由 navadmin | 3 月 28, 2022 | Data Center PR CN, EV PR CN, Industrial Motor PR CN, Solar PR CN
“Navitas Semiconductor has announced a breakthrough 20-year limited warranty for its GaNFast technology – 10x longer than typical silicon, SiC or discrete GaN power semiconductors – and a critical accelerator for GaN’s adoption in data center, solar and EV...
由 navadmin | 12 月 8, 2021 | Data Center PR CN, Solar PR CN
Next-gen semiconductor could deliver up to 40% energy savings and $1.9B/year electricity savings for the world’s data centers El Segundo, CA – December 8th, 2021— Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry-leader in gallium nitride (GaN) power...
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