由 Navitas | 12 月 10, 2024 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
加利福尼亚州托伦斯2024年12月5日讯 – 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 将参加于2025年1月7日-10日在拉斯维加斯举办的2025年国际消费电子展览会（CES 2025），全面展示在AI数据中心、电动汽车和移动快充取得多项重大突破。近日，纳微半导体连续第三年入榜德勤北美高成长科技企业500强。...
由 Navitas | 11 月 6, 2024 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
4场专业报告，1篇深度论文，GaNSlim™和第三代快速碳化硅最新演示，全面展现纳微Electrify Our World™之路的最新突破 加利福尼亚托伦斯2024年10月31日讯——唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布将于2024年11月8-11日参加在西安·曲江国际会议中心举办的2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会（以下简称：CPSSC...
由 Navitas | 7 月 26, 2024 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微氮化镓和碳化硅混合设计电源能在最小尺寸下，为每个搭载AI GPU的机柜提升3倍功率 加利福尼亚州托伦斯2024年7月25日讯 — 下一代GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布全新CRPS185 4.5kW AI数据中心服务器电源方案，该方案围绕纳微旗下GaNSafe™高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅功率器件打造，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。 下一代AI GPU如英伟达Blackwell...
由 Navitas | 6 月 6, 2024 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯...
由 Navitas | 9 月 7, 2023 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN, Solar PR CN
纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台 在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆 加利福尼亚托伦斯2023年9月6日讯 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会，正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术，以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求，在这些目标应用中，效率、功率密度以及强大可靠的运行能力至关重要。 在台北万怡Courtyard六福万怡召开的全球发布会上，纳微全球销售高级副总裁David...
由 Navitas | 9 月 7, 2022 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, Industrial Motor PR CN, IR CN, Latest News, Mobile PR CN, Press Releases CN, Solar PR CN
下一代氮化镓带来MHz级性能，减少超过60%元件数量及电路尺寸 2022年9月7日——加利福尼亚州加州埃尔塞贡多讯，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及 氮化镓功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS），今日发布了半导体行业首个GaNSense™半桥氮化镓功率芯片。相比于现有的分立式方案，半桥功率芯片可实现MHz级的开关频率，将有效降低系统损耗和复杂度。 GaNSense™半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs...
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