4场专业报告，1篇深度论文，GaNSlim™和第三代快速碳化硅最新演示，全面展现纳微Electrify Our World™之路的最新突破
加利福尼亚托伦斯2024年10月31日讯——唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布将于2024年11月8-11日参加在西安·曲江国际会议中心举办的2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会（以下简称：CPSSC 2024），展示纳微在下一代氮化镓和碳化硅功率半导体所取得的重大突破。
纳微半导体诚邀观众造访纳微展台（时间：11月9-10日，展位号3-011），探索纳微全新的AI数据中心服务器电源技最新成果：
- 全球首个由GaNSafe™和GeneSiC第三代快速碳化硅打造的8.5kW OCP AI数据中心服务器电源
- 全球最高功率密度的4.5kW数据中心服务器电源
- 获IntelliWeave专利的数字控制技术，其结合高功率GaNSafe和第三代快速碳化硅，专为AI数据中心优化
- Gen-2 6.6kW 2合1车载充电机(OBC)
- 由GaNSlim打造的最新消费电子快充方案
全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim，采用纳微专利的DPAK-4L封装，具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，可助力手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，打造业界最快、最小、最高效的解决方案。
凭借着超20年的碳化硅创新领导地位，GeneSiC推出全球领先的第三代快速碳化硅功率器件，基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，能为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。
会议论文：
1.Research of the Parasitic False Turn-On Behavior of SiC MOSFET with 0V Turn-Off Gate Voltage
时间：11月10日，13:20-13:40
作者：周相阳, 李宾, 黄秀成, Jason Zhang
工业报告：
1. 双向GaN器件助力微逆效能提升
时间：11月10日，14:30 – 15:00
演讲者：秦伟，资深主任应用工程师
2.99.4%效率的GaN基交错并联CrM 图腾柱PFC方案实现
时间：11月11日，08:30 – 09:00
演讲者：余文浩，高级应用工程师
3.纳微半导体全新高集成度的GaNSlim IC重新定义高效率和高性价比开关电源
时间：11月11日，10:20-10:50
演讲者：胡烨，技术市场经理
4.单级变换器在车载充电机中应用的机遇及挑战
时间：11月11日，13:00-13:30
演讲者：祝锦，高级技术营销经理
纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰表示：“作为电源行业的年度盛会，CPSSC为行业打造了不容错过的产、学、研的技术交流平台。我们非常高兴能够再次将最新的GaNSlim、GaNSafe和第三代GeneSiC碳化硅技术带到这个舞台上来，向外界展示我们践行Electrify Our World™使命路上的最新突破。”
与纳微销售安排现场会议，请发送邮件至：[email protected]
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
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