具备行业领先的温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。
加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。
G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。
此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
纳微半导体最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe™氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch³的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
针对电动汽车市场，纳微半导体基于1200V/34mΩ（型号：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V双向车载充电机（OBC）+ 3kW DC-DC转换器的应用，能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。
纳微半导体碳化硅技术和运营高级副总裁Sid Sundaresan博士表示：“凭借着可靠性和高功率高压系统下的鲁棒性，G3F GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。G3F碳化硅MOSFETs的开关频率高达600 kHz，硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅的性能边界。”
目前可向符合要求的客户提供样品，客户请联系sicsales@navitassemi.com
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），纳微半导体投资者关系副总裁
Llew Vaughan-Edmund，纳微半导体企业营销及产品管理高级总监
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