纳微GaNSafe™、GeneSiC™及 IntelliWeave™技术助力打造下一代AI数据中心电源平台，将为超大规模数据中心展现行业领先的效率与功率密度。
加利福尼亚州托伦斯2025年5月15日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布将于5月21日晚（台北国际电脑展Computex同期）在台北举办“AI科技之夜”，数据中心上下游行业专家、供应链合作伙伴以及技术开发者将齐聚一堂，通过主题演讲、技术演示和互动讨论等形式展开交流。活动重点聚焦高功率GaNSafe™和GeneSiC™技术如何突破效率与功率密度挑战，以满足AI及超大规模数据中心日益增长的电力需求，进而推动AI数据中心能源基建的变革。纳微半导体还将首次展示其专为下一代OCP数据中心打造的电源参考设计，该设计在功率密度、性能和效率方面均达到世界领先水平。
当单颗GPU功率突破1000W大关，当AI集群算力需求每3个月翻倍增长，传统电源技术已难以支撑AI基建的能效与密度升级。纳微半导体的氮化镓和碳化硅解决方案将展示对传统架构限制的突破，助力打造更高效、更高密度且更可持续发展的数据中心。
纳微半导体于2023年率先于行业制定了“AI数据中心电源技术路线图”，聚焦下一代AI数据中心的电力传输。该路线图推出的第一款方案是高速高效的CRPS 2.7kW电源，其功率密度是传统方案的2倍，能量损耗降低了30%。随后推出的CRPS 3.2kW电源，与同类最佳的传统硅基解决方案相比，体积缩小了40%，适用于高功耗的AI和边缘计算场景。紧接着发布了全球功率密度最高的CRPS 4.5kW电源，功率密度达到137W/in³，效率超过 97%。2024年11月，纳微发布了全球首款由氮化镓和碳化硅混合设计的8.5kW AI数据中心电源，效率可达98%，符合开放计算项目（OCP）和Open Rack v3（ORv3）规范。此外，纳微还研发了IntelliWeave™，这是一项获得专利的新型数字控制技术，搭配高功率GaNSafe和第三代快速碳化硅MOSFET，可使PFC峰值效率达到99.3%，与现有解决方案相比，功率损耗降低30%。
纳微半导体还将重点展示全球首款量产级650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片和IsoFast™高速隔离栅极驱动器，二者将推动从传统两级电源拓扑向单级电源拓扑的范式转变，可优化数据中心电源设计，缩小外形尺寸，提高机架空间利用率。
纳微半导体全球高级副总裁兼亚太区总经理查莹杰表示：“AI算力的爆发式增长，对数据中心能源基建提出了严苛挑战。纳微半导体即将亮相的最新AI数据中心电源方案，实现了能效与功率密度的双重突破，展现了纳微在氮化镓和碳化硅技术的持续创新和对数据中心行业的深刻理解。深耕亚太市场多年，纳微始终以本地需求为核心，将前沿技术与区域产业链有机结合。期待通过此次交流，与行业伙伴共探半导体创新如何驱动AI数据中心能效升级，让算力发展与可持续未来并行。”
纳微半导体“AI科技之夜”的活动将于2025年5月21日在台北六福万怡酒店举办，如需参加请联系info@navitassemi.com或联系您的销售代表。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Llew Vaughan-Edmunds，企业营销及产品管理高级总监
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