纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台
在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆
加利福尼亚托伦斯2023年9月6日讯 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日在台北举办客户与合作伙伴新闻发布会，正式向全球发布GaNSafe™高性能宽禁带功率平台。纳微通过升级这一第四代氮化镓技术，以满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求，在这些目标应用中，效率、功率密度以及强大可靠的运行能力至关重要。
在台北万怡Courtyard六福万怡召开的全球发布会上，纳微全球销售高级副总裁David Carroll和高级业务发展总监Charles Bailley向超过50名来自客户端的高级管理层代表、行业合作伙伴和国际媒体介绍纳微及其全新的GaNSafe™平台。
纳微半导体全新的第四代氮化镓功率芯片由纳微长期合作伙伴——台积电在新竹的工厂生产和制造，纳微亦非常荣幸地邀请到台积电氮化镓功率元件项目经理苏如意博士参与GaNSafe™全球发布会，苏博士在现场与观众分享并展望了氮化镓技术的未来。
纳微的GaNFast™功率芯片集成了氮化镓（GaN）功率、驱动、控制、检测和保护功能，实现更快的充电、更高的功率密度和更强大的节能效果，现已成功出货超过1亿颗，并提供行业首个20年质保承诺。如今，全新GaNSafe™平台在工程设计上通过增加额外的、特定的保护等其他功能，配合全新坚固的高功率封装，得以在极端高温、长时间工作条件下提供卓越的性能支持。
初期的高功率650/800 V GaNSafe™产品系列涵盖了从35到98 mΩ的RDS（ON）范围，采用一种新型的适用于氮化镓且散热优良的表贴TOLL封装，可匹配从1,000到22,000W的应用。GaNSafe™集成的特征和功能包括：
•受保护的、集成闸极驱动控制，零闸极-源回路电感，可靠的高速2 MHz开关能力，以最大化提升应用的功率密度。
•快速的短路保护，自主的“检测和保护”可在50 ns内完成，比竞争对手的分立式氮化镓解决方案快4倍。
•静电放电（ESD）保护达到2 kV，而分立式的氮化镓晶体管为零。
•650 V连续和800 V瞬时耐电压能力，有助于提升芯片在特殊应用条件下的鲁棒特性。
•易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4个引脚，加速客户设计。
•可调节的开启和关闭速度（dV/dt），简化EMI的规范要求。
与分立式的氮化镓晶体管设计存在电压尖峰、负压尖峰和超规格使用的问题不同，GaNSafe™是一个高效、可预测、可靠的系统。GaNSafe™坚固的4引脚TOLL封装已达到严格的IPC-9701机械可靠性标准，提供了简单、坚固、可靠的性能。
纳微针对市场应用的系统设计中心可提供使用GaNSafe™技术的效率、密度和系统成本达标的完整平台设计，以加速客户设计并缩短推向市场的周期，并最大程度地提高客户“first-time-right”即首次采用GaNSafe™器件设计，即可实现应用成功的机会。这些系统平台是包括经过全面测试的硬件、布局、仿真和硬件测试结果在内的完整设计支持。通过GaNSafe™技术实现的系统平台案例包括：
1. 纳微半导体CRPS185数据中心电源平台，能在体积仅40mm×73.5mm×185mm(544cc)的情况下，带来3200W的功率，实现5.9W/cc(接近100W/inch³)的功率密度。相较于传统硅方案缩小40%体积，效率在30%的负载下超过96.5%，在20% ~ 60%的负载下超96%，定义了“钛金Plus”的行业标准；
- 纳微全新的6.6kW 2合1双向电动汽车车载充电器（OBC），在双向6.6kW OBC的基础上集成3kW DC-DC的功能，这款2合1平台产品具有3.9kW/L以上的功率密度，满载下的峰值效率达96%以上，与市场同类解决方案相比各项性能指标都大幅领先。
纳微半导体首席执行官及联合创始人Gene Sheridan表示：“纳微早先的GaNFast™和GaNSense™技术已经为移动消费电子行业设定了采用氮化镓的行业标准，纳微发货量大、采用纳微的主流一线客户多，在消费电子行业中，纳微氮化镓已逐渐取代硅成为消费电子快充主流应用。如今GaNSafe™更进一步，让我们的技术更上一层楼，不仅在集成方面实现了行业中最受保护、可靠和安全的氮化镓器件水平，而且在功率水平上实现全面提升，将彻底打开AI数据中心、电动车、太阳能和能储等1-22kW功率系统市场。我们的客户如今可以在这些数十亿规模的市场上，实现氮化镓的全部潜质，这些市场要求最高的效率、密度和可靠性。”
纳微GaNSafe™系列产品现已提供给明确意向客户，预计在2023年第四季度开始量产。在数据中心、太阳能/能储和电动车应用领域中正在进行的客户项目已达到40个，这是纳微价值10亿美元的在研客户项目的一部分。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过1亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
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