Navitas Semiconductor - World's First & Fastest GaN Power IC
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纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心

纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心

由 | 1 月 14, 2022 | Front Page, In the News, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN

下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas Semiconductor（纳斯达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍，节能高达 70%。据估计，氮化镓OBC、DC-DC 转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程，或将电池成本降低...
纳微半导体荣获2022年CES创新奖

纳微半导体荣获2022年CES创新奖

由 | 11 月 24, 2021 | Front Page, IR, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases, Press Releases CN

氮化镓功率芯片代替传统硅芯片，成就全球最小最快的移动快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 11 月 19 日— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者纳微半导体（纳斯达克交易代码：NVTS）宣布，旗下采用 GaNSense™ 技术的下一代GaNFast™ 智能氮化镓功率芯片正式荣获 CES® 2022 创新奖 （CES 2022 Innovation Award）。今年的 CES 创新奖收到了创纪录的 1,800 多件参赛产品，获奖公告是在CES 2022 开幕之前宣布的，CES 2022即将于2022年 1 月 5 日至 8...
纳微半导体首席执行官在摩根大通全球科技大会上展望”超越硅”的未来

纳微半导体首席执行官在摩根大通全球科技大会上展望”超越硅”的未来

由 | 11 月 16, 2021 | Front Page, IR, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases, Press Releases CN

氮化镓(GaN)功率芯片被定位为将有望在131亿美元的移动、消费、电动车、太阳能和数据中心中替代传统硅功率芯片 加州埃尔塞贡多–[日期]–氮化镓功率芯片的行业领先者纳微半导体（Nasdaq:NVTS, NVTSW）宣布，联合创始人兼首席执行官Gene Sheridan将参加在亚洲举行的第九届摩根大通全球技术、媒体和电信年会的一个高规格小组讨论会。...
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场

纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场

由 | 11 月 8, 2021 | Front Page, Latest News, Press Releases, Press Releases CN, Uncategorized

加州，埃尔塞贡多–11月[5]–氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。...