由 Navitas | 5 月 23, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计，可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目（OCP）要求。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。 该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率...
由 Navitas | 5 月 22, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微积极研发氮化镓与碳化硅技术，助力NVIDIA 800V HVDC数据中心供电系统开发，赋能数据中心兆瓦级IT机架电力扩展 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达（纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将被投入研发，为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持 NVIDIA推出的下一代800V...
由 Navitas | 5 月 16, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微GaNSafe™、GeneSiC™及 IntelliWeave™技术助力打造下一代AI数据中心电源平台，将为超大规模数据中心展现行业领先的效率与功率密度。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月15日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS)...
由 Navitas | 4 月 9, 2025 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR, Latest News, Press Releases CN, Solar PR CN
氮化镓技术和MCU协作融合，及联合研发实验室的优势共振，驱动AI数据中心、电动汽车和太阳能储能等应用领域的电源革新 加利福尼亚州托伦斯2025年4月8日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS)...
由 Navitas | 4 月 3, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
下一代GaNSense™技术为AI数据中心、电信、工业设备提升8倍功率 加利福尼亚州托伦斯2025年4月3日讯 ——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布其搭载GaNSense™技术的GaNFast️™氮化镓功率芯片进入长城电源的供应链，成功助力其打造AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。...
由 Navitas | 12 月 10, 2024 | Data Center PR CN, EV PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
加利福尼亚州托伦斯2024年12月5日讯 – 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 将参加于2025年1月7日-10日在拉斯维加斯举办的2025年国际消费电子展览会（CES 2025），全面展示在AI数据中心、电动汽车和移动快充取得多项重大突破。近日，纳微半导体连续第三年入榜德勤北美高成长科技企业500强。...
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