由 Navitas | 12 月 8, 2025 | IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN
全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用 美国加州托伦斯 — 2025 年 12 月 1 日 — 下一代 GaNFast™ 氮化镓（GaN）与 GeneSiC™ 碳化硅（SiC）功率半导体行业领导者纳微半导体（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 与 2300V...
由 Navitas | 11 月 21, 2025 | IR, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases, Press Releases CN
双方将进行全新技术研发和晶圆代工合作，加速推动美国的先进氮化镓技术研发、设计及规模化生产能力，为各类电源管理应用提供支持 纽约州马尔他及加利福尼亚州托伦斯，2025 年 11 月 20 日讯 —— 格芯（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）与纳微半导体（Navitas...
由 Navitas | 11 月 5, 2025 | IR CN, IR Financial, Press Releases CN
公司开启战略转向，将专注应用氮化镓和高压碳化硅的高功率市场 聚焦AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化领域 通过迅速行动和资源重组，加速布局高增长、高利润率市场 加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯：下一代GaNFast™氮化镓与高压碳化硅 GeneSiC™功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。 纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示...
由 Navitas | 10 月 14, 2025 | Data Center PR CN, IR, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
Navitas正式發布專為輝達800 VDCAI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵、650V氮化鎵及高壓碳化矽功率元件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。 加利福尼亞州托倫斯市2025年10月13日訊——Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布，其在先進中高壓（800 VDC）氮化鎵與碳化矽功率元件研發上取得重要進展，此舉將協助輝達（NVIDIA）打造針對下一代AI工廠運算平台的800 VDC電源架構。...
由 Navitas | 10 月 14, 2025 | Data Center PR CN, IR, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓，650V氮化镓和高压碳化硅功率器件，以实现突破性效率、功率密度与性能表现。 加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日讯——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其在先进中高压（800 VDC）氮化镓与碳化硅功率器件研发方面取得重要进展，此举将助力英伟达（NVIDIA）打造面向下一代AI工厂计算平台的800 VDC电源架构。...
由 Navitas | 8 月 26, 2025 | IR CN, Press Releases CN
Chris Allexandre是半导体行业的资深从业者，在销售、运营及企业管理领域拥有数十年深厚经验 他的加盟将助力纳微半导体在AI数据中心、能源基础设施及其他有望采用氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）的市场实现电气化的预期增长 加利福尼亚州托伦斯2025年8月25日讯 – 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布一项重要人事任命：纳微董事会已决定聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起正式履职。同时，Chris...
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