由 Navitas | 7 月 1, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
下階段策略有望強化供應鏈、推動創新，降本增效 —— 助力納微氮化鎵（GaN）在 AI 資料中心、電動汽車、太陽能以及家電、手機等領域的快速應用。 加利福尼亞州托倫斯 2025 年 6 月 30 日訊 —— 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布與力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立戰略合作夥伴關係，正式啟動並持續推進業內領先的 200mm 矽基氮化鎵技術生產。...
由 Navitas | 7 月 1, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
下一阶段战略有望强化供应链、推动创新，降本增效——助力纳微氮化镓（GaN）在AI数据中心、电动汽车、太阳能以及家电、手机移动设备等领域的快速应用。 加利福尼亚州托伦斯2025年6月30日讯——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布与力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立战略合作伙伴关系，正式启动并持续推进业内领先的200mm硅基氮化镓技术生产。...
由 Navitas | 5 月 23, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计，可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目（OCP）要求。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。 该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率...
由 Navitas | 5 月 22, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微积极研发氮化镓与碳化硅技术，助力NVIDIA 800V HVDC数据中心供电系统开发，赋能数据中心兆瓦级IT机架电力扩展 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达（纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将被投入研发，为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持 NVIDIA推出的下一代800V...
由 Navitas | 5 月 16, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微GaNSafe™、GeneSiC™及 IntelliWeave™技术助力打造下一代AI数据中心电源平台，将为超大规模数据中心展现行业领先的效率与功率密度。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月15日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS)...
由 Navitas | 5 月 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列，面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计，将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案，其效率提升4%，PCB 占用面积减少40%，系统成本降低15%。...
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