GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计，可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目（OCP）要求。
加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。
该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率 GaNSafe™氮化镓功率芯片，以极简元件布局实现最高效率与性能。
三相交错TP-PFC拓扑由采用“沟槽辅助平面栅” 技术的第三代快速碳化硅MOSFET驱动。依托纳微半导体超 20 年的碳化硅技术创新积淀，该技术在全温域下展现领先性能，支持低温升运行、快速开关及卓越鲁棒性，可为电动汽车带来更快的充电速度或让AI 数据中心的功率提升3倍。
纳微半导体独家的IntelliWeave数字控制技术融合临界导通模式（CrCM）与连续导通模式（CCM）混合控制策略，覆盖轻载至满载的全工况，在保持低元件数量简洁设计的同时实现效率最大化，相较现有CCM方案的功率损耗降低 30%。
三相交错FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，其集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分离的氮化镓FET一样被处理，无需额外的VCC引脚。650V的GaNSafe 提供TOLL与TOLT封装，适用于1kW至22kW的应用场景，RDS (ON) 典型值范围 为18mΩ 至70mΩ。
该电源的尺寸为790×73.5×40mm，输入电压范围180–305VAC，输出最高电压为 50VDC。当输入电压高于 207VAC 时输出12kW功率，低于该阈值时输出10kW。其配备主动均流功能及过流、过压、欠压、过热保护机制，可在-5至45oC温度范围内正常运行，12kW负载下保持时间达20ms，浪涌电流为稳态电流3倍（持续时间<20ms），采用内部风扇散热。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“纳微半导体的AI数据中心电源技术路线图持续引领行业前进，仅用时24个月便实现输出功率从2.7kW到12kW的四倍跃升。强大的供电能力提升对全球数据中心发展至关重要，可满足最新GPU架构所带来的指数级功率需求变化。这款‘专为量产设计’的电源参考使客户能够快速部署高效、简洁且具成本优势的解决方案，从容应对AI与超大规模数据中心的供电挑战。”
该12kW电源已于5月21日在Comptuex台北电脑展同期举办的纳微半导体AI科技之夜上全球首发。欲了解更多关于纳微半导体AI数据中心电源技术路线图的信息，请访问https://navitassemi.com/datacenter/或发送邮件至[email protected]
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
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Llew Vaughan-Edmunds，企业营销及产品管理高级总监
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