纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓，650V氮化镓和高压碳化硅功率器件，以实现突破性效率、功率密度与性能表现。
加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日讯——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其在先进中高压（800 VDC）氮化镓与碳化硅功率器件研发方面取得重要进展，此举将助力英伟达（NVIDIA）打造面向下一代AI工厂计算平台的800 VDC电源架构。
AI工厂的兴起催生了一类全新的数据中心，旨在为大规模并行人工智能和高速计算（HPC）实现高效的算力服务。这类全新数据中心的诞生，带来了功率传输的新挑战。而依赖于54V机架内配电输送的传统企业级和云端数据中心，已无法满足当下高速运算平台所需要的兆瓦级机架的功率密度要求, 新的功率挑战正在推动数据中心电源构架的基础革新。
800 VDC配电系统具备以下优势：
- 降低电阻损耗与铜材用量，实现更高能效；
- 基础设施具备可扩展性，能以高紧凑性方案为兆瓦级机架供电；
- 与国际电工委员会（IEC）低压直流（LVDC）分类标准（≤1,500 VDC）保持全球一致；
- 通过高效的热管理，实现简单可靠的电力分配。
800 VDC架构支持在数据中心电力机房或周边区域，将13.8 kVAC的市电直接变换为800 VDC。通过采用固态变压器与工业级整流器，该方案可省去传统AC/DC及DC/DC的多级变换，最大限度提升能效、减少损耗，并增强整体系统的可靠性。
800 VDC配电系统直接为IT机房内的服务器机架供电，省去了额外的传统AC-DC变换级。电力随后通过两级高效DC-DC变换（从800 VDC降至54V/12 VDC，再转换至GPU所需电压），以驱动英伟达Rubin Ultra平台等先进基础设施。
这类先进的AI工厂对功率密度、能效及可扩展性提出了前所未有的要求，而纳微半导体高性能GaNFast氮化镓与GeneSiC碳化硅技术，恰恰能满足这些需求。
图1：从电网到GPU，纳微先进的氮化镓和碳化硅技术为AI数据中心功率转换的每一级提供支持
专注于宽禁带功率半导体的纳微，始终致力于突破性的氮化镓和碳化硅技术研发，助力AI数据中心从电网到GPU的每一级，实现高效、高功率密度的功率转换。
纳微半导体全新100V氮化镓FET产品系列，采用先进双面散热封装，具备卓越的能效、功率密度与热性能。该系列产品专为GPU电源板上的DC-DC变换级进行了优化 —— 在该环节中，超高密度与热管理能力是满足下一代AI计算平台需求的关键。目前，该系列产品的样品、数据手册及评估板已就绪，可供客户申请。
此外，全新高效的纳微100V氮化镓FET产品基于和力积电的战略合作，诞生于8英寸晶圆制程之上，适合大规模量产。
纳微的650V氮化镓产品组合包括一条全新的大功率氮化镓FET产品线，以及集成了控制、驱动、感测和内置保护功能的先进GaNSafe™功率芯片，以卓越的鲁棒性和可靠性，满足下一代AI基础架构对性能和安全性的严苛要求。
作为全球氮化镓技术安全巅峰，GaNSafe具备以下特性：
- 超高速短路保护（最快350ns的响应时间）；
- 所有引脚均具备2kV静电放电（ESD）防护；
- 无需负栅极电压驱动；
- 可编程的压摆率（slew-rate）控制。
以上功能可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分立式氮化镓FET一样使用，不需要额外的VCC引脚。
凭借超过20年在碳化硅领域积累的创新经验，纳微旗下的GeneSiC™技术拥有自主研发的沟槽辅助平面栅技术，可为大功率、高可靠性的应用在全温度范围内提供卓越的高速，低温升运行能力。GeneSiC™技术提供从650V到6,500V的行业最广电压范围，应用于包括与美国能源部合作的在内的，诸多兆瓦级储能与并网逆变器项目。
纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示：“在英伟达驱动AI基础设施转型的过程中，纳微非常荣幸能运用我们的氮化镓和碳化硅方案来帮助其实现效率，可拓展性和可靠性的提升，以满足下一代数据中心的需求。随着行业快速向兆瓦级AI计算平台迈进，对更高效、可扩展和更可靠的电力输送的需求变得至关重要。从传统的54V架构向800 VDC架构转型，不仅仅是革命性的，更是颠覆性的行业革新。”
他补充道：“纳微半导体正经历根本性转型，通过氮化镓与碳化硅技术的融合为全球最先进的系统提供支持。如今，我们的关注范围已远超消费电子，延伸至从电网到GPU的全链路环节 —— 通过差异化的高性能电源方案，满足AI工厂、智慧能源基础设施及工业平台的兆瓦级需求。”
如需纳微全新100V和650V氮化镓FET的信息，样品，产品规格书，评估板以及纳微旗下高压碳化硅MOSFET产品系列信息，请发送邮件至[email protected]
如需了解更多关于纳微氮化镓和碳化硅技术在800 VDC架构的数据中心基础设施相关应用，请点击此处查看纳微最新白皮书。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast™功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC™高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®碳中和认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
前瞻性陈述
本新闻稿及其中引用的资料包含根据经修订的《1934 年证券交易法》定义的“前瞻性陈述”。其他前瞻性陈述可通过以下词语识别，例如“我们预计”、“预计将会”、“估计”、“计划”、“预计项目”、“预测”、“打算”、“预期”、“相信”、“寻求”等，或其他类似表述，这些词语用于预测或指示未来事件或趋势，或说明非历史事实的事项。前瞻性陈述的形成基于多项假设，包括对财务及业绩指标的估计与预测、对市场机会及市场份额的展望，以及当前客户兴趣的迹象，无论这些假设是否在本新闻稿中明确说明。所有此类陈述均基于纳微半导体管理层当前的预期与理解，并非对未来实际业绩的预测。前瞻性陈述仅出于说明的目的，不应被任何投资者视为或依赖为任何形式的保证、担保、预测或关于事实或可能性的确定性陈述。实际事件与情况可能难以或无法预测，并且将与假设和预期存在差异。许多影响公司业绩的实际事件与情况超出 Navitas 的控制范围，因此前瞻性陈述受到多种风险与不确定因素的影响。例如，尽管纳微在本新闻稿中关于 GaN 与 SiC 功率半导体产品在人工智能数据中心市场的发展、潜在性能及需求的陈述是基于我们认为合理的研究与分析，但这些陈述仍存在重大不确定性，尤其因为纳微产品旨在颠覆现有市场并开创新市场。与成熟市场不同（如传统硅基解决方案市场，其历史趋势可提供一定预测价值），新兴市场具有独特的挑战与不确定性。
联系方式：
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
Lori Barker，投资者关系
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