由 Navitas | 5 月 23, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计，可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目（OCP）要求。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。 该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率...
由 Navitas | 5 月 22, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微积极研发氮化镓与碳化硅技术，助力NVIDIA 800V HVDC数据中心供电系统开发，赋能数据中心兆瓦级IT机架电力扩展 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达（纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将被投入研发，为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持 NVIDIA推出的下一代800V...
由 Navitas | 5 月 16, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微GaNSafe™、GeneSiC™及 IntelliWeave™技术助力打造下一代AI数据中心电源平台，将为超大规模数据中心展现行业领先的效率与功率密度。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月15日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS)...
由 Navitas | 5 月 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列，面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计，将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案，其效率提升4%，PCB 占用面积减少40%，系统成本降低15%。...
由 Navitas | 5 月 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
卓越的性能表现结合优化的高爬电封装，塑造了其前所未有的可靠性，为汽车及工业应用树立新标杆 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高 6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。 纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET...
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