Navitas正式發布專為輝達800 VDCAI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵、650V氮化鎵及高壓碳化矽功率元件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。
加利福尼亞州托倫斯市2025年10月13日訊——Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布，其在先進中高壓（800 VDC）氮化鎵與碳化矽功率元件研發上取得重要進展，此舉將協助輝達（NVIDIA）打造針對下一代AI工廠運算平台的800 VDC電源架構。
AI工廠的興起催生了一類全新的資料中心，旨在為大規模平行人工智慧與高效能運算（HPC）提供高效的算力服務。這類全新資料中心的誕生，帶來了功率傳輸的新挑戰。而依賴54V機櫃內配電架構的傳統企業級與雲端資料中心，已無法滿足現今高速運算平台所需的兆瓦級機櫃功率密度需求，新的功率挑戰正推動資料中心電源架構的根本性革新。
800 VDC配電系統具備以下優勢：
- 降低電阻損耗與銅材用量，實現更高能效；
- 基礎設施具備可擴充性，能以高緊湊性方案為兆瓦級機櫃供電；
- 與國際電工委員會（IEC）低壓直流（LVDC）分類標準（≤1,500 VDC）保持全球一致；
- 透過高效的熱管理，實現簡單可靠的電力分配。
800 VDC架構支援在資料中心電力機房或週邊區域，將13.8kVAC的市電直接轉換為800 VDC。透過採用固態變壓器與工業級整流器，此方案可省去傳統AC/DC及DC/DC的多階轉換，最大限度提升能效、降低損耗，並提升整體系統的可靠度。
800 VDC配電系統直接為IT機房內的伺服器機櫃供電，省去了額外的傳統AC-DC轉換階段。電力接著透過兩階段高效DC-DC轉換（從800 VDC降至54V/12 VDC，再轉換為GPU所需電壓），驅動輝達Rubin Ultra平台等先進基礎設施。
這類先進的AI工廠對功率密度、能效及可擴充性提出了前所未有的需求，而Navitas高性能GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化矽技術，恰好能滿足這些需求。
圖1：從電網到GPU，Navitas先進的氮化鎵和碳化矽技術為AI資料中心功率轉換的每一環提供支援
專注於寬能隙功率半導體的Navitas，始終致力於突破性的氮化鎵與碳化矽技術研發，協助AI資料中心從電網到GPU的每一個環節，實現高效、高功率密度的功率轉換。
Navitas全新100V氮化鎵FET產品系列，採用先進雙面散熱封裝，具備卓越的能效、功率密度與熱性能。該系列產品專為GPU電源板上的DC-DC轉換階段進行優化——在該環節中，超高密度與熱管理能力是滿足下一代AI運算平台需求的關鍵。目前，該系列產品的樣品、規格書及評估板已就緒，可供客戶申請。
此外，全新高效的Navitas 100V氮化鎵FET產品，基於與力積電的戰略合作，採用8英寸晶圓製程製造，適合大規模量產。
Navitas的650V氮化鎵產品組合包含一條全新的大功率氮化鎵FET產品線，以及整合控制、驅動、感測與內建保護功能的先進GaNSafe™功率晶片，憑藉卓越的強健性與可靠度，滿足下一代AI基礎架構對性能與安全性的嚴苛需求。
做為全球氮化鎵技術安全巔峰，GaNSafe具備以下特性：
- 超高速短路保護（最快350ns的回應時間）；
- 所有接腳均具備2kV靜電放電（ESD）防護；
- 無需負閘極電壓驅動；
- 可程式化壓擺率（slew-rate）控制。
以上功能可透過晶片4個接腳實現，讓封裝可如離散式氮化鎵FET般使用，無需額外的VCC接腳。
憑藉超過20年在碳化矽領域累積的創新經驗，Navitas旗下的GeneSiC™技術擁有自主研發的溝槽輔助平面閘極技術，可為大功率、高可靠度的應用在全溫度範圍內，提供卓越的高速、低溫升運作能力。GeneSiC™技術提供從650V到6,500V的業界最廣電壓範圍，已應用於包含與美國能源部（DoE）合作在內的多個兆瓦級儲能與併網逆變器專案。
Navitas總裁暨執行長Chris Allexandre表示：「在輝達推動AI基礎設施轉型的過程中，Navitas非常榮幸能運用我們的氮化鎵和碳化矽方案，協助其實現效率、可擴充性與可靠度的提升，以滿足下一代資料中心的需求。隨著產業快速邁向兆瓦級AI運算平台，對更高效、可擴充且更可靠的電力輸送需求日趨關鍵。從傳統54V架構轉型至800 VDC架構，不僅具有革命性，更是產業的顛覆性革新。」
他進一步補充：「Navitas正經歷根本性轉型，透過氮化鎵與碳化矽技術的融合，為全球最先進的系統提供支援。如今，我們的關注領域已遠超消費電子，延伸至從電網到GPU的全鏈路環節——透過差異化的高性能電源方案，滿足AI工廠、智慧能源基礎設施及工業平台的兆瓦級需求。」
如需了解Navitas全新100V與650V氮化鎵FET的資訊、樣品、產品規格書、評估板，以及Navitas旗下高壓碳化矽MOSFET產品系列資訊，請寄信至[email protected]。
如需進一步了解Navitas氮化鎵與碳化矽技術在800 VDC架構之資料中心基礎設施相關應用，請點擊此處查看Navitas最新白皮書。
關於Navitas
Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）為新一代功率半導體產業領導者，專注於氮化鎵（GaN）與積體電路（IC）元件，以及高壓碳化矽（SiC）技術研發，旨在推動人工智慧與資料中心、能源與電網基礎設施、高效能運算及工業應用領域的創新。憑藉在寬能隙技術領域超過30年的經驗累積，Navitas旗下GaNFast™功率晶片將氮化鎵功率元件、驅動、控制、感測與保護功能高度整合，實現更快的功率傳輸、更高的系統功率密度及更優異的能效表現。GeneSiC™高壓碳化矽元件採用受專利保護的溝槽輔助平面技術，為中壓電網及基礎設施應用提供業界領先的耐壓能力、效率與可靠度。Navitas已擁有或申請中的專利超過300項，同時也是全球首家獲得CarbonNeutral®碳中和認證的半導體公司。
Navitas、GaNFast、GaNSense、GeneSiC及Navitas標識均為NavitasSemiconductor及其子公司之商標或註冊商標。其他所有品牌、產品名稱及標誌，均為或可能為其各自所有者用於識別產品或服務之商標或註冊商標。
前瞻性陳述
本新聞稿及其所引用之資料包含依據經修正之《1934年證券交易法》所定義之「前瞻性陳述」。其他前瞻性陳述可透過諸如「我們預期」、「預計將會」、「估計」、「計畫」、「預期專案」、「預測」、「意圖」、「預期」、「相信」、「尋求」等詞彙，或其他類似表述加以辨識，此類詞彙用於預測或指示未來事件或趨勢，或說明非歷史事實之事項。前瞻性陳述係基於多項假設而制定，包括對財務及業績指標的估計與預測、對市場機會及市場佔有率的展望，以及目前客戶興趣的跡象，不論此類假設是否在本新聞稿中明確說明。所有此類陳述均基於Navitas管理階層目前的預期與理解，並非對未來實際業績的預測。前瞻性陳述僅為說明之目的，不應被任何投資人視為或依賴為任何形式的保證、擔保、預測或有關事實或可能性之確定性陳述。實際事件與狀況可能難以或無法預測，且將與假設及預期存在差異。許多影響公司業績之實際事件與狀況超出Navitas的掌控範圍，因此前瞻性陳述受到多項風險與不確定性因素之影響。例如，儘管Navitas在本新聞稿中，有關GaN與SiC功率半導體產品在人工智慧資料中心市場的發展、潛在性能及需求之陳述，係基於我們認為合理的研究與分析，但此類陳述仍存在重大不確定性，尤其因Navitas產品旨在顛覆現有市場並開創新市場。與成熟市場不同（如傳統矽基解決方案市場，其歷史趨勢可提供一定預測價值），新興市場具有獨特的挑戰與不確定性。
聯絡方式：
LlewVaughan-Edmund，企業行銷暨產品管理高級總監
LoriBarker，投資人關係
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