充电技术推动小米投资纳微(Navitas)半导体

小米集团和纳微(Navitas)半导体今天宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓(GaN),这是一种新的半导体材料,其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快100倍,因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100%的充电。

雷军在直播发布会上表示:“GaN(氮化镓)作为一种新半导体材料,给充电器,带来了无法想象的效果。它特别小,充电效率特别高,比小米10 Pro标配的65W充电器再小了一半。” 雷军为推广氮化镓技术,鼓励消费者和米粉们关注新时代充电技术变化。

据悉,小米早前就已投资纳微(Navitas)半导体,为这次合作埋下伏笔。小米的投资策略是通过资金注入,确立产业链上下游合作,同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作,纳微(Navitas)半导体也得以拓宽销售渠道。这正是小米扶持合作企业、推动制造业升级、带动行业活力的证明,并最终发布了带有GaNFast充电技术的小米Mi 10 PRO。

纳微(Navitas)半导体首席执行官Gene SHERIDAN在会后表示:“非常高兴看到小米对新材料,新技术所持的开放态度。纳微半导体自成立以来就专注于GaN材料的技术运用和创新,所开发的GaNFast功率IC是FET,驱动器和逻辑的单片集成,可实现极小的应用尺寸和高效率。对于希望走在前端、引领技术潮流的厂商,GaNFast技术会为他们的产品注入高性能和差异化!”

纳微(Navitas)半导体中国区总经理查莹杰则表示:“目前智能手机,平板电脑和笔记本电脑的电池容量不断增加,另一方面,消费者却需要更快的充电体验,而GaNFast技术具有小尺寸、轻量和高效的优势,因而极具吸引力。GaNFast技术为业界带来小巧、高效的充电器,可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。”

小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入,电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术,小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是标准适配器尺寸的一半。

关于小米:

永远相信美好的事情即将发生

小米公司正式成立于2010年4月,是一家以手机、智能硬件和 IoT 平台为核心的互联网公司。创业仅7年时间,小米的年收入就突破了千亿元人民币。截止2018年,小米的业务遍及全球80多个国家和地区。小米的使命是,始终坚持做“感动人心、价格厚道”的好产品,让全球每个人都能享受科技带来的美好生活。

关于纳微:

纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2014 年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,合共拥有超过200年的经验;此外,其多位创始人也合共拥有超过200项专利。该公司专有的工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与GaN逻辑和GaN模拟电路单片集成。纳微GaNFast功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。纳微拥有或正在申请的专利超过80 项。

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