by Navitas | Feb 28, 2022 | Front-Page, IR, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
New gallium nitride (GaN) power ICs enable 3x faster charging, longer range, lower costs, and lower CO2 emissions than legacy silicon El Segundo, CA – February 28th, 2022: Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry-leader in gallium nitride (GaN) power...
by Navitas | Feb 25, 2022 | Front-Page, IR, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
Next-gen GaN semiconductor estimated to save 2.6 Gtons / year CO2 by 2050 El Segundo, CA –February 25th, 2022 – Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry-leader in gallium nitride (GaN) power integrated circuits (ICs) has announced its participation in...
by Navitas | Feb 25, 2022 | Front-Page, In the Media, IR, IR-Financial, Latest-News, Short post
Navitas CTO, Dan Kinzer highlights “next-generation gallium nitride (GaN) power semiconductor technology and how GaNFast power ICs are replacing legacy silicon in mobile fast chargers, consumer, solar, data center and EV applications” at CASPA’s 2022...
![纳微半导体亮相海通国际投资者大会，氮化镓功率芯片致力于”Electrify Our World™”[XZ1]](https://navitassemi.com/wp-content/uploads/2022/02/haitong-investor-conference-1000x675.jpg)
by Navitas | Feb 23, 2022 | Front Page, IR, IR Financial, Latest News, Press Releases
新型氮化镓功率芯片比传统硅功率芯片充电速度快3倍、续航能力更长、成本更低、二氧化碳排放更少 2022年2月[23]日加州埃尔塞贡多讯。氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布参加海通国际投资者大会，会议将于美国时间2022年2月28日晚10时/香港时间2022年3月1日上午11时举行。 纳微半导体首席执行官、联合创始人Gene Sheridan将用英语作介绍，随后由纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰发表中文演讲并回答提问。 氮化镓 (GaN) 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快 20 倍。...
by Navitas | Feb 23, 2022 | Front Page, IR, IR Financial, Latest News, Press Releases
氮化镓在移动、消费、电动车、太阳能和数据中心行业拥有约131亿美元的市场机会，蓄势取代传统硅功率芯片 2022年2月[23]日加州埃尔塞贡多讯。氮化镓功率芯片行业的领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布与华兴证券合作，举行非交易路演，日期定于中国时间2月23日、2月24日。 纳微半导体首席执行官、联合创始人Gene Sheridan将参加由华兴资本董事总经理Szeho Ng主持的演讲和炉边谈话，另有一对一交流和小组会议环节。 氮化镓 (GaN) 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快 20 倍。...
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