双方将进行全新技术研发和晶圆代工合作，加速推动美国的先进氮化镓技术研发、设计及规模化生产能力，为各类电源管理应用提供支持
纽约州马尔他及加利福尼亚州托伦斯，2025 年 11 月 20 日讯 —— 格芯（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS）与纳微半导体（Navitas Semiconductor，纳斯达克代码：NVTS）今日正式宣布建立长期战略合作伙伴关系，共同推进美国本土的氮化镓（GaN）技术研发、设计与制造能力。双方将携手开发并交付面向高功率市场关键应用的先进解决方案，满足AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施、工业电气化等领域对高效率和高功率密度的迫切需求。
作为氮化镓及高压碳化硅（SiC）技术领域的先驱企业，纳微半导体已在移动快充、消费电子、高性能计算、电动汽车、储能及工业设备等大批量应用市场成功实现氮化镓技术的商业化应用，并正加速推动该技术在高功率市场的应用普及。格芯作为值得信赖的全球晶圆代工合作伙伴，拥有十多年先进制造经验，可保障可靠、优质的规模化生产。通过这一长期合作，格芯与纳微将依托格芯位于佛蒙特州伯灵顿工厂的高压硅基氮化镓技术积淀，以及纳微在氮化镓技术与器件方面的深厚积累，共同生产下一代氮化镓芯片。双方计划于2026年初启动开发，并于同年晚些时候投入量产。
格芯的世界级制造能力结合纳微领先的氮化镓技术创新实力，将为客户提供更先进、更可靠、规模化的氮化镓解决方案。双方将携手为客户打造完整的美国本土氮化镓供应渠道，提升能源安全与产业竞争力，助力下一代能源与计算平台的深度脱碳转型。
格芯首席执行官Tim Breen表示：“氮化镓正重塑全球电力传输格局。双方的合作标志着美国半导体产业领导力的显著进步，也为氮化镓技术在关键应用领域的部署奠定了重要基础。通过与纳微携手，我们将构建一个稳定、可持续的氮化镓技术供应链，赋能AI、能源及工业创新。”
纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre：“在AI数据中心、高性能计算、电网与能源基础设施、工业电气化等高功率半导体市场，氮化镓正加速市场普及。与格芯的合作，将确保纳微能够提供客户所需的美国本土高性能、高效率与大规模制造能力，并在美国生产关键应用的解决方案。双方正为共同推动下一代可持续发展的能源技术奠定基石，这对推动全球能源可持续发展具有重要意义。与格芯实现合作，是纳微迈向2.0战略阶段的重要里程碑。”
关于格芯（Global Foundries）
GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问 www.gf.com。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast™功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC™高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®碳中和认证的半导体公司。
前瞻性声明
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