全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用
美国加州托伦斯 — 2025 年 12 月 1 日 — 下一代 GaNFast™ 氮化镓（GaN）与 GeneSiC™ 碳化硅（SiC）功率半导体行业领导者纳微半导体（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 与 2300V 超高压（UHV）SiC 产品已正式开始向市场提供样品，覆盖功率模块、分立器件及裸片（KGD）等多种形态。该系列产品在超高压功率电子器件领域树立了全新的可靠性与性能标杆。
自主研发的沟槽辅助平面栅技术（TAP）SiC MOSFET 技术全面提升性能与可靠性
纳微全新3300V 和 2300V SiC器件基于其第四代 GeneSiC™ 平台研发，采用 TAP （沟槽辅助平面栅技术）架构，通过多级电场管理设计显著降低电压应力、提升耐压能力，相较传统 trench 或平面型 SiC MOSFET 展现更优的电压特性和可靠性。
纳微的SiC MOSFET不仅具有 TAP 架构带来的更高的长期可靠性与雪崩能力；同时，其优化的源极结构将实现更高的单元密度与更佳的电流扩散，进一步改善开关性能指标，并可在高温环境下降低导通电阻。
创新封装技术打造行业最优的系统耐用性与功率密度
纳微此次进一步扩展 3300V / 2300V UHV SiC 产品组合，提供灵活多样的封装格式，以满足客户端不同应用的需求。针对高功率密度与高可靠性系统，纳微推出了先进的 SiCPAK™ G+ 功率模块，支持半桥与全桥拓扑。
SiCPAK™ G+ 模块采用独特的环氧树脂灌封技术，相比业内常见的硅胶灌封方案，可实现 >60% 的功率循环寿命提升，以及 >10 倍的热冲击可靠性改进。
该模块系列还采用 AlN DBC （氮化铝直接键合铜基板）以强化散热性能，并引入全新大电流压接引脚，使单 pin 电流能力提升一倍。
分立器件则提供业界标准的 TO-247 与 TO-263-7 封装。
强化型可靠性验证确保系统长期寿命
纳微推出行业首创的可靠性验证基准 AEC-Plus*，其验证范围远超既有的 AEC-Q101 与 JEDEC 标准。该标准体现了纳微对系统级长期寿命需求的深刻理解，并坚持为电网与能源基础设施等关键应用提供经过严苛设计与验证的高可靠性产品。
AEC-Plus 可靠性验证包含大量扩展项目，包括：
- 动态反向偏置（DRB）与动态栅极切换（DGS），以模拟高速开关场景中的严苛工况
- 静态高温高压测试（HTRB、HTGB、HTGB-R）时长延长至标准的 3 倍以上
- 模块级 HV-THB 与分立 / KGD 的 HV-H3TRB 资格认证
- 更长周期的功率循环与温度循环测试
先进 KGD 生产筛选流程确保更高品质与可靠性
为满足定制化功率模块的需求，纳微最新一代 3300V 与 2300V SiC MOSFET 同时提供 KGD 裸片服务，为保证裸片与 SiCPAK™ G+ 模块的卓越质量，器件需通过先进的生产筛选流程，包括：
- 切片后裸片的常温与高温全测试
- 六面光学检测
高度严格的 KGD 方案确保纳微为客户仅提供最优质，最可靠的裸片，以用于系统制造，帮助客户获得更卓越的模组性能、良率与长期可靠性。
纳微半导体 SiC 事业部副总裁兼总经理 Paul Wheeler 表示：“全新的 3300V / 2300V SiC 产品组合将助力客户在 AI 数据中心固态变压器、以及公用事业级储能与可再生能源系统中进一步突破效率与可靠性瓶颈，树立关键系统应用的新标准。” 他同时补充道：“这一系列高可靠、高性能的超高压（UHV）碳化硅功率半导体产品，是我们迈向 10 KV 电网技术路线的重要一步。通过结合专有 TAP 技术与创新封装技术，执行更严格的可靠性验证和生产测试，从而持续引领行业，提供业界领先的高性能与高可靠性碳化硅产品。”
有关 TAP 技术 （沟槽辅助平面栅技术）的白皮书可通过纳微官网免费下载。
更多信息，敬请访问：
- SiCPAK™ Power Modules: https://navitassemi.com/sicpak-modules/
- SiC MOSFET Known Good Die (KGD): https://navitassemi.com/known-good-die/
- SiC MOSFET Discrete : https://navitassemi.com/genesic-mosfets-products/
如需申请样品，欢迎联系纳微销售团队：[email protected]
*“AEC-Plus”指器件基于纳微测试结果，其可靠性验证超越 AEC-Q101 与 JEDEC 标准。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast™功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC™高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®碳中和认证的半导体公司。
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Vipin Bothra
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