德国PCIM | 纳微将携650V双向氮化镓和车规GaNSafe等明星产品精彩亮相

亮点展品包括搭配IsoFast™驱动器的双向氮化镓功率芯片，符合车规的GaNSafe功率芯片，专为电机马达打造的GaNSense功率芯片以及全新的高可靠性SiCPAK功率模块将全面亮相

加利福尼亚州托伦斯2025年4月23日讯——纳微半导体今日宣布将在5月6-8日参加于德国纽伦堡举办的PCIM 2025，全面展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车、电机马达和工业领域的应用新进展。

PCIM是全球功率电子、智能运动、可再生能源以及能源管理领域的领先展会。纳微诚邀观众莅临位于9号馆，展位号544的“纳微芯球”展位，了解纳微如何通过下一代氮化镓和碳化硅技术，对传统硅器件进行替代，从而实现Electrify Our World™的宏伟使命。

主要的展品和技术亮点包括：

• 全球首款量产级650V 双向GaNFast氮化镓功率芯片和高速隔离型IsoFast门极驱动器，二者能使传统的两级架构向单级架构跃迁，打造电力电子的全新范式。目标应用市场包括电动汽车充电（车载充电机OBC和充电桩），太阳能逆变器，储能和电机马达。全球线上发布会可通过https://www.bilibili.com/video/BV1Q6XrY3EVc/?spm_id_from=333.1387.homepage.video_card.click回顾。

• 符合车规的高功率GaNSafe氮化镓功率芯片，均已通过AEC-Q100和AEC-Q101认证，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现。为了支撑这一认证，纳微半导体编制了一份全面的可靠性报告，该报告分析了超过7年的生产和实际应用数据。报告展示了公司的业绩记录，以及产品在鲁棒性和可靠性方面的迭代和系列改进，确认了氮化镓功率芯片具备极高的可靠性并且非常适用于汽车领域。

• 全新的SiCPAK功率模块，采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，使得热阻变化量降低五倍，显著延长系统使用寿命。经过严格设计和验证，适用于最严苛的高功率环境，重点确保可靠性与耐高温性能。目标市场包括电动汽车直流快充（DCFC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器与功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接及感应加热。

• 专为电机马达打造的GaNSense氮化镓功率芯片，具备双向无损电流感应、电压感测以及温度保护功能，与任何分立氮化镓或分立硅器件所能达到的性能相比，进一步提升了性能和稳定性。

• 获AEC-Q101车规认证的第三代快速碳化硅MOSFETs，凭借着超20年的碳化硅创新领导地位，GeneSiC推出全球领先的第三代快速碳化硅功率器件，基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。

• GaNSlim™氮化镓功率芯片，作为全新一代高度集成的氮化镓功率芯片，以最高水平的集成度和散热性能，将进一步简化并加速小型化、高功率密度应用的开发。目标应用包括移动设备和笔记本电脑充电器、电视电源以及高达500W的照明系统。

• 全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，效率达98%。该方案采用大功率GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分别用于三相LLC拓扑结构和三相交错CCM TP-PFC结构，可实现最高效率、性能以及最少的元件数量。

• 全球功率密度最高的4.5kW AI数据中心服务器电源，采用纳微大功率GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs混合设计，满足搭载最新AI GPUs机柜增长3倍的功率需求，可实现137W/in3的全球最高功率密度以及超过97%的效率。

• 搭载IntelliWeave专利数字控制技术的AI数据中心服务器电源，采用了高功率GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合设计，PFC的峰值效率高达99.3%，相较现有方案降低30%的功率损耗。

如需在APEC 2025上与纳微半导体会晤，请通过以下方式预约：

1. 商务洽谈：请发送邮件至[email protected]或[email protected]

2. 媒体采访：请通过https://calendly.com/navitassemi-press/navitas-semiconductor-at-pcim-2025-press预约

3.投资者会议：请通过https://calendly.com/navitas-events/navitas-at-pcim-2025-investor-relations预约

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。

联系方式：

Llew Vaughan-Edmunds，企业营销及产品管理高级总监

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