下一代GaNFast™氮化镓功率芯片为三星Galaxy A系列，Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6智能手机打造节能氮化镓快充
加利福尼亚州托伦斯2024年8月5日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片已获三星智能手机系列广泛采用，先后为旗舰机皇Galaxy S22、S23、S24，畅销机型Galaxy A系列以及革命性的AI折叠屏手机Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6注入了氮化镓快充动力。
氮化镓（GaN）的运行速度比传统硅快达20倍，围绕其制成的充电器在体积和重量减半的同时，功率和充电速度提高3倍。GaNFast氮化镓功率芯片带来了高频、高效率的功率转换，与之前的硅基设计相比，充电器体积可减少50%。
三星全新的25W氮化镓充电器（型号：EP-T2510）搭载了先进的节能技术，将待机损耗降低75%，仅为5mW。这款充电器的环保特性体现了纳微快充技术的节能减碳潜力：纳微每出货一颗GaNFast氮化镓功率芯片，相较传统硅芯片可节省4公斤二氧化碳排放。
纳微半导体全球高级销售副总裁David Carroll表示：“自2018年助力全球首款氮化镓充电器成功量产以来，纳微一直是推动氮化镓技术革新并实现对传统硅芯片替代的先锋。纳微与三星的合作始于Galaxy S22 Ultra，而今天我们可以自豪地宣布：纳微GaNFast技术已经从高端旗舰机型扩展到主流走量机型，成为三星智能手机不可或缺的一部分。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），纳微半导体企业营销和投资者关系副总裁
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
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