探索最新氮化镓和碳化硅技术如何为AI数据中心、电动汽车和消费市场，打造最高效和最可靠的功率转换方案
加利福尼亚州托伦斯2024年10月28日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布将于11月12-15日参加在德国慕尼黑举办的慕尼黑电子展2024（展台位于C3号厅，展位号129），展示在下一代功率半导体取得的多项重大突破。
纳微半导体诚邀观众造访纳微展台，探索下一代氮化镓和碳化硅技术是如何为AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业马达以及消费电子打造最新的功率转换方案。每一件展品将全面展示其带来的高功率密度、增进的效率、更长的续航、更快的充电、更好的便携性和电网独立性，并揭秘低碳的氮化镓和碳化硅技术如何到2050年节省超过60亿吨碳排放。
本次的亮点展品为纳微开发的全球首个AI和超大规模数据中心专用的8.5kW服务器电源，其由纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造而来。
凭借着超20年的碳化硅领导地位，GeneSiC技术拥有着全球领先的温度性能。利用该技术打造的碳化硅MOSFETs，具有低温升运行和快速开关的特性，可为AI数据中心带来3倍的功率提升并加速电动汽车的充电速度。
第三代快速GeneSiC MOSFETs（G3F）基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，与竞争对手相比有着卓越的鲁棒性、可制性和成本优势。同时，凭借着高效和高速的性能表现，G3F MOSFETs在运行时的器件表壳温度比竞争对手的产品低25℃，带来了长3倍的使用寿命增益。
同期展出的技术还有纳微为家用电器和工业应用打造的，马达驱动专用的GaNSense™氮化镓功率芯片，和能打造下一代最高效率和最高功率密度方案的650V双向氮化镓开关，以及用于电网、可再生能源、电动汽车快充和不间断电源等高功率市场的最新SiCPAK™模块。
除了精彩的展览之外，纳微半导体的企业营销及产品管理高级总监Llew Vaughan-Edmunds将于11月12日当地时间14：20参加由EETimes举办的圆桌会谈——‘SiC & GaN Technologies – Exploring Advancements, Addressing Challenges’。圆桌将聚焦近期和未来能够促进宽禁带技术抢占传统硅每年220亿美元市场的技术进步。根据Yole Group的分析师预测：到2027年，氮化镓和碳化硅产品将占据功率半导体市场30%的份额。
慕尼黑电子展2024将于11月12-15日在德国慕尼黑举办，展馆位于：Trade Fair Center Messe München, Am Messesee 2, 81829 Munich。“纳微芯球”展台位于C3号厅，展位号为129。
如需在慕尼黑电子展上安排与纳微半导体的会晤，请发送邮件至：[email protected]
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
纳微半导体、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及纳微标识是Navitas Semiconductor 及其子公司的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
联系方式：
Stephen Oliver（史立维），企业营销和投资者关系副总裁
Llew Vaughan-Edmund，企业营销及产品管理高级总监
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