多家半导体公司布局氮化镓功率器件
近年来，以碳化硅(SiC)和氮化镓(以下简称GaN)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。2015年5月8日，在国务院印发《中国制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件，可见第三代半导体行业在国民经济发展中的重要地位。
http://www.esmchina.com/news/article/201804270923?from=singlemessage
Recent Comments