by Navitas | Nov 18, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
TORRANCE, Calif. , Nov. 17, 2025 – Navitas Semiconductor, an industry leader in next-generation GaNFast™ gallium nitride (GaN) and GeneSiC™ silicon carbide (SiC) power semiconductors, has announced participation in the following upcoming investor event: UBS...
by Navitas | Nov 7, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
Raised capital supports the Navitas 2.0 strategy, accelerating the company’s transformation into high-power markets, driving scalable growth and long-term value creation. TORRANCE, CA – November 7, 2025 — Navitas Semiconductor Corporation (Nasdaq: NVTS), an...
by Navitas | Nov 5, 2025 | IR CN, IR Financial, Press Releases CN
公司开启战略转向,将专注应用氮化镓和高压碳化硅的高功率市场 聚焦AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化领域 通过迅速行动和资源重组,加速布局高增长、高利润率市场 加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯:下一代GaNFast™氮化镓与高压碳化硅 GeneSiC™功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。 纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示...
by Navitas | Nov 3, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
Navitas 2.0 – strategic pivot to high-power markets with GaN and high-voltage SiC Key market focus on AI data center, performance computing, energy & grid infrastructure and industrial electrification Decisive actions and reallocation of resources to those...
by Navitas | Oct 14, 2025 | Data Center PR CN, IR, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
Navitas正式發布專為輝達800 VDCAI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵、650V氮化鎵及高壓碳化矽功率元件,以實現突破性效率、功率密度與性能表現。 加利福尼亞州托倫斯市2025年10月13日訊——Navitas(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布,其在先進中高壓(800 VDC)氮化鎵與碳化矽功率元件研發上取得重要進展,此舉將協助輝達(NVIDIA)打造針對下一代AI工廠運算平台的800 VDC電源架構。...
by Navitas | Oct 14, 2025 | Data Center PR CN, IR, IR CN, IR Financial, Press Releases CN
纳微半导体正式发布专为英伟达800 VDC AI工厂电源架构打造的全新100V氮化镓,650V氮化镓和高压碳化硅功率器件,以实现突破性效率、功率密度与性能表现。 加利福尼亚州托伦斯2025年10月13日讯——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其在先进中高压(800 VDC)氮化镓与碳化硅功率器件研发方面取得重要进展,此举将助力英伟达(NVIDIA)打造面向下一代AI工厂计算平台的800 VDC电源架构。...
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