by Navitas | May 14, 2025 | Front-Page, IR, Latest-News, Press-Releases
TORRANCE, Calif., May 14, 2025 – Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, today announced the appointment of...
by Navitas | May 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测,效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列,面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计,将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案,其效率提升4%,PCB 占用面积减少40%,系统成本降低15%。...
by Navitas | May 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
卓越的性能表现结合优化的高爬电封装,塑造了其前所未有的可靠性,为汽车及工业应用树立新标杆 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准,以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET,搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装,实现行业最高 6.45mm爬电距离,可满足1200V以下应用的IEC合规性。 纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET...
by Navitas | May 8, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
在未来的12月里,纳微氮化镓将在AI数据中心、太阳能微逆和电动汽车等新主流市场实现应用增长 凭借2.5亿颗出货量和100ppb的现场可靠性,纳微氮化镓设定了行业新标杆 纳微碳化硅以超越AEC标准创下行业可靠性新高,超高压2.3kV-6.5kV产品进军商用电动汽车领域 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯 – 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日公布了截至2025年3月31日的未经审计的2025年第一季度财务业绩。 纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene...
by Navitas | May 5, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, Latest-News, Press-Releases
GaN expected production ramp in new mainstream markets in AI data centers, solar micro-inverters and EV over next 12 months GaN sets industry benchmark with over 250M shipped and 100ppb field reliability SiC sets industry benchmark with reliability exceeding AEC...
by Navitas | May 5, 2025 | Front-Page, IR, Latest-News, Press-Releases, Product Release
Unprecedented reliability combined with superior performance & optimized, high-creepage package sets a new benchmark in automotive and industrial applications. TORRANCE, CA – May 5th, 2025 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play,...
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