by Navitas | Dec 8, 2025 | IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN
全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用 美国加州托伦斯 — 2025 年 12 月 1 日 — 下一代 GaNFast™ 氮化镓（GaN）与 GeneSiC™ 碳化硅（SiC）功率半导体行业领导者纳微半导体（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 与 2300V...
by Navitas | Dec 8, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
Torrance, CA and Hyderabad, India – Mon Dec 08th, 2025 — Navitas Semiconductor Corporation (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast™ gallium nitride (GaN) and GeneSiC™ silicon carbide (SiC) power semiconductors and Cyient Semiconductors Private...
by Navitas | Dec 1, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
New 3300V and 2300V SiC products based on latest GeneSiC™ Trench-Assisted Planar technology and packaging innovations to augment efficiency and lifetime for AI data center, grid and energy infrastructure and industrial electrification including energy storage,...
by Navitas | Nov 27, 2025 | Latest News, Press Releases CN
加州托倫斯 — 2025年11月28日訊 — 下一代GaNFast™氮化鎵（GaN）與GeneSiC™碳化矽（SiC）技術產業領導者——Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）與亞洲分銷領導企業——文晔科技股份有限公司（台股代碼：3036）今日宣布，雙方將進一步強化策略合作，共同為亞洲市場提供更強大的氮化鎵與碳化矽功率元件技術支援與供應鏈服務。...
by Navitas | Nov 27, 2025 | Latest News, Press Releases CN
加利福尼亚州托伦斯 — 2025年11月28日讯 — 下一代GaNFast™氮化镓（GaN）与GeneSiC™碳化硅（SiC）技术行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）与亚洲分销巨头——文晔科技股份有限公司（台股代码：3036）今日宣布双方将进一步强化战略合作，共同为亚洲市场提供更强大的氮化镓与碳化硅功率器件技术支持与供应链服务。...
by Navitas | Nov 27, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
TORRANCE, CA – November 27th, 2025 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast™ gallium nitride (GaN) and GeneSiC™ silicon carbide (SiC) and the Asian distribution giant WT Microelectronics Co., Ltd. (TW: 3036) have...
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