by Navitas | Jun 11, 2025 | EV PR CN, Front Page, Latest News, Press Releases CN
GeneSiC™ MOSFET技术为燃料电池和重型运输领域的高压大功率‘多变换器’赋予无与伦比的功率密度 加利福尼亚州托伦斯2025年6月3日讯——纳微半导体今日宣布与法国知名电力电子制造商——Brightloop达成合作:纳微的车规级第三代“快速”碳化硅MOSFET将助力Brightloop打造重型农业运输设备专用的氢燃料电池充电器。...
by Navitas | Jun 3, 2025 | EV PR, Front-Page, IR, Latest-News, Press-Releases
GeneSiC™ MOSFET technology enables unmatched power density for high-voltage, high-power ‘multiverters’ in fuel-cell and heavy-duty transportation. TORRANCE, CA – June 3rd, 2025 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation GaNFast™...
by Navitas | May 30, 2025 | Front-Page, IR, IR Financial, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
TORRANCE, CA – May 30, 2025, Navitas Semiconductor, the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, has announced participation in the following upcoming...
by Navitas | May 23, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造下一代可量产电源设计,可满足高功率、高密度服务器机架的开放计算项目(OCP)要求。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体今日宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计,可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。 该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目(OCP)标准,采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型 IntelliWeave™数字技术,以及配置于三相交错 TP-PFC 和 FB-LLC 拓扑结构中的高功率...
by Navitas | May 22, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微积极研发氮化镓与碳化硅技术,助力NVIDIA 800V HVDC数据中心供电系统开发,赋能数据中心兆瓦级IT机架电力扩展 加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达(纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架开发,旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将被投入研发,为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持 NVIDIA推出的下一代800V...
by Navitas | May 21, 2025 | AI PR, Data Center PR, Front-Page, IR, IR-Financial, Latest-News, Press-Releases
Navitas’ GaN and SiC technologies to be developed to support NVIDIA’s 800 V HVDC data center power infrastructure for1 MW IT racks and beyond. TORRANCE, CA – May 21st, 2025 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the industry leader in next-generation...
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