by Navitas | Nov 11, 2024 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
效率超97.5%!由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案,完美适配AI和超大规模数据中心 加利福尼亚州托伦斯2024年11月5日讯 – 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源,其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计,实现了>97.5%的超高效率,完美适配AI和超大规模数据中心。...
by Navitas | Nov 7, 2024 | Front Page, IR CN, IR Financial, Latest News, Press Releases CN
纳微在氮化镓手机快充市场创下销售纪录 全新低压氮化镓技术进入48V AI数据中心、电动汽车和机器人市场 与英飞凌科技(Infineon Technologies)的战略合作伙伴关系为客户提供双重供应选择 精简的市场聚焦和成本结构提升盈利路径 加利福尼亚州托伦斯2024年11月4日讯 – 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布了截至2024年9月30日的第三季度未经审计的财务业绩。 纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene...
by Navitas | Nov 6, 2024 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
4场专业报告,1篇深度论文,GaNSlim™和第三代快速碳化硅最新演示,全面展现纳微Electrify Our World™之路的最新突破 加利福尼亚托伦斯2024年10月31日讯——唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布将于2024年11月8-11日参加在西安·曲江国际会议中心举办的2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会(以下简称:CPSSC...
by Navitas | Nov 5, 2024 | AI PR, Data Center PR, Front Page, IR, Latest News, Press Releases
Next-generation solution achieves 98% efficiency with high-power GaNSafe™ and Gen-3 Fast SiC™ MOSFETs for AI and hyperscale data centers. Torrance, CA – November 5th, 2024—Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play, next-generation power...
by Navitas | Nov 4, 2024 | Front Page, IR, IR Financial, Latest News, Press Releases
Record sales in GaN mobile fast-charger market New, low-voltage GaN technology enters 48V AI data center, EV and robotics markets Strategic partnership with Infineon Technologies enables customer dual sourcing Streamlined market focus and cost structure...
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