by Navitas | May 16, 2025 | Data Center PR CN, Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
纳微GaNSafe™、GeneSiC™及 IntelliWeave™技术助力打造下一代AI数据中心电源平台，将为超大规模数据中心展现行业领先的效率与功率密度。 加利福尼亚州托伦斯2025年5月15日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS)...
by Navitas | May 15, 2025 | AI PR, Data Center PR, Front Page, Latest News, Press Releases
Latest AI data center PSU platform enabled by GaNSafe™, GeneSiC™, and IntelliWeave™ will showcase industry-leading efficiency & power density for hyperscalers. TORRANCE, CA – May 15th, 2025—Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play, next-generation...
by Navitas | May 14, 2025 | Front Page, IR, Latest News, Press Releases
TORRANCE, Calif., May 14, 2025 – Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, today announced the appointment of...
by Navitas | May 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
全集成保护型氮化镓功率芯片搭配双向无损耗电流检测，效率提升 4%、系统成本降低 15%、PCB占位面积缩小 40% 加利福尼亚州托伦斯2025年5月1日讯——纳微半导体今日正式宣布推出全新专为电机驱动打造的GaNSense™氮化镓功率芯片系列，面向功率至 600W 的家电及工业电机驱动应用。 该全集成解决方案专为电机驱动应用设计，将两个氮化镓FET与驱动、控制、检测及智能保护功能集成在半桥里。相较于传统硅IGBT方案，其效率提升4%，PCB 占用面积减少40%，系统成本降低15%。...
by Navitas | May 9, 2025 | Front Page, IR CN, Latest News, Press Releases CN
卓越的性能表现结合优化的高爬电封装，塑造了其前所未有的可靠性，为汽车及工业应用树立新标杆 加利福尼亚州托伦斯2025年5月5日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代 650V与 1200V“沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高 6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。 纳微半导体HV-T2Pak碳化硅MOSFET...
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